Данильцев Вячеслав Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Структурные и сверхпроводящие свойства пленок вольфрама и иридия для низкотемпературных микрокалориметров
   
   Физика твердого тела, 66:7 (2024),  1075–1080
2. Обработка поверхности арсенида галлия после травления в плазме C$_2$F$_5$Cl
   
   Письма в ЖТФ, 49:19 (2023),  39–42
3. Влияние параметров индуктивно-связанной плазмы хлорпентафторэтана на скорость и характеристики травления арсенида галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  685–688
4. Влияние добавки хлорпентафторэтана в составе хлорсодержащей плазмы на скорость и характеристики профиля травления арсенида галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  837–840
5. Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  958–961
6. Вертикальный полевой транзистор с управляющим $p$–$n$-переходом на основе GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1311–1314
7. Селективный анализ элементного состава нанокластеров InGaAs/GaAs методом вторично-ионной масс-спектрометрии
   
   Письма в ЖТФ, 43:10 (2017),  50–59
8. Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника
   
   Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1459–1462
9. Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных слоев Ge/Si(001), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1463–1468
10. Влияние быстрого термического отжига на параметры арсенидгаллиевого низкобарьерного диода с приповерхностным $\delta$-легированием
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1481–1485
11. Внутризонная фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками, индуцированная межзонной подсветкой
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1444–1447
12. Анализ состава твердых растворов (Al, Ga)As методами вторично-ионной масс-спектрометрии и рентгеновской дифрактометрии
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1419–1423