Архипова Екатерина Александровна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Ультратонкие слои оксида церия для формирования субмикронных YBCO-структур
   
   Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  53–56
2. Исследование спектров электролюминесценции в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе твердых растворов HgCdTe при латеральной токовой накачке
   
   Письма в ЖТФ, 52:5 (2026),  9–13
3. Влияние микроструктуры ультратонких пленок YBaCuO на нелинейный СВЧ отклик
   
   Физика твердого тела, 67:7 (2025),  1236–1240
4. CVD-алмазные структуры с $p$–$n$-переходом — диоды и транзисторы
   
   ЖТФ, 95:3 (2025),  540–548
5. Исследование фото- и электролюминесценции центров окраски, связанных с азотом, в алмазном $p$–$i$–$n$-диоде
   
   Письма в ЖТФ, 51:10 (2025),  48–51
6. Электролюминесценция центров окраски германий–вакансия в алмазном $p$–$i$–$n$-диоде
   
   Письма в ЖТФ, 51:8 (2025),  3–6
7. Андреевские связанные состояния и парамагнитный эффект при низких температурах в тонких пленках YBCO
   
   Физика твердого тела, 66:8 (2024),  1264–1271
8. Структурные и сверхпроводящие свойства пленок вольфрама и иридия для низкотемпературных микрокалориметров
   
   Физика твердого тела, 66:7 (2024),  1075–1080
9. Невплавные омические контакты с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$- и $n$-типа и их термическая стабильность
   
   Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024),  409–414
10. Электрофизические свойства многослойных пленок алмазоподобного углерода с различным содержанием $sp^3$-фазы
    
    Письма в ЖТФ, 50:17 (2024),  30–33
11. Переход между законами Мотта и Аррениуса в температурных зависимостях сопротивлений сильно легированных бором дельта-слоев в искусственном алмазе
    
    Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  259–264
12. Investigation of boron-doped delta layers in CVD diamond grown on single-sector HPHT substrates
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 13:5 (2022),  578–584
13. Влияние параметров индуктивно-связанной плазмы хлорпентафторэтана на скорость и характеристики травления арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  685–688
14. Влияние добавки хлорпентафторэтана в составе хлорсодержащей плазмы на скорость и характеристики профиля травления арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  837–840
15. Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  865–867
16. Модификация соотношения $sp^2/sp^3$-гибридного углерода в PECVD пленках DLC
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  855–858
17. Использование импульсного лазерного отжига для формирования омических контактов Mo/Ti к алмазу
    
    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  34–38
18. Исследование формирования омических контактов Au/Mo/Ti с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$-типа
    
    ЖТФ, 89:12 (2019),  1923–1932
19. Омические контакты к эпитаксиальным структурам CVD-алмаза с дельта-слоями бора
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1386–1390
20. Плазмохимическое осаждение алмазоподобных пленок на поверхности монокристаллического высоколегированного алмаза
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1229–1232