Охапкин Андрей Игоревич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. CVD-алмазные структуры с $p$–$n$-переходом — диоды и транзисторы
   
   ЖТФ, 95:3 (2025),  540–548
2. Исследование фото- и электролюминесценции центров окраски, связанных с азотом, в алмазном $p$–$i$–$n$-диоде
   
   Письма в ЖТФ, 51:10 (2025),  48–51
3. Электролюминесценция центров окраски германий–вакансия в алмазном $p$–$i$–$n$-диоде
   
   Письма в ЖТФ, 51:8 (2025),  3–6
4. Невплавные омические контакты с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$- и $n$-типа и их термическая стабильность
   
   Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024),  409–414
5. Электрофизические свойства многослойных пленок алмазоподобного углерода с различным содержанием $sp^3$-фазы
   
   Письма в ЖТФ, 50:17 (2024),  30–33
6. Термический отжиг многослойных пленок алмазоподобного углерода с варьируемым содержанием $sp^3$-фазы
   
   Письма в ЖТФ, 50:13 (2024),  12–15
7. Плазмохимическое осаждение гидрогенизованных пленок DLC с различным содержанием водорода и $sp^3$-гибридного углерода
   
   Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  309–312
8. Обработка поверхности арсенида галлия после травления в плазме C$_2$F$_5$Cl
   
   Письма в ЖТФ, 49:19 (2023),  39–42
9. Проектирование дизайна туннельно-связанных квантовых ям для создания модулятора по схеме Маха–Цендера
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  833–838
10. Влияние параметров индуктивно-связанной плазмы хлорпентафторэтана на скорость и характеристики травления арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  685–688
11. Влияние добавки хлорпентафторэтана в составе хлорсодержащей плазмы на скорость и характеристики профиля травления арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  837–840
12. Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  958–961
13. Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  865–867
14. Модификация соотношения $sp^2/sp^3$-гибридного углерода в PECVD пленках DLC
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  855–858
15. Анализ углеродсодержащих материалов методом вторично-ионной масс-спектрометрии: содержание атомов углерода в $sp^{2}$- и $sp^{3}$-гибридных состояниях
    
    Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  38–42
16. Плазмохимическое осаждение алмазоподобных пленок на поверхности монокристаллического высоколегированного алмаза
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1229–1232
17. Новый подход к анализу фазового состава углеродсодержащих материалов методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии
    
    Письма в ЖТФ, 45:2 (2019),  50–54
18. Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C$_{2}$F$_{5}$Cl
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1362–1365
19. Низкотемпературное осаждение пленок SiN$_{x}$ в индуктивно-связанной плазме SiH$_{4}$/Ar + N$_{2}$ в условиях сильного разбавления силана аргоном
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1503–1506
20. Слои Si$_3$N$_4$ для in situ пассивации транзисторных структур на основе GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1469–1472