Зубов Федор Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Направленность вывода излучения из кольцевых микролазеров с нарушенной вращательной симметрией
   
   Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  27–30
2. Управляемое током и светом переключение длин волн лазерной генерации в лазерах на квантовых точках InAs/InGaAs/GaAs для использования в нейроморфной фотонике
   
   Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  45–49
3. Высокочастотная модуляция микрокольцевого лазера с квантовыми точками при повышенной температуре
   
   Письма в ЖТФ, 51:20 (2025),  32–35
4. Спектральные характеристики оптически связанной пары полосковых лазеров на квантовых точках InAs/InGaAs/GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 50:22 (2024),  57–60
5. Полудисковые микролазеры с полукольцевым контактом на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с высокой выходной мощностью
   
   Письма в ЖТФ, 50:6 (2024),  23–27
6. Определение температуры и теплового сопротивления полудискового лазерного диода методом измерения импульсных вольт-амперных характеристик
   
   Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  767–772
7. Модель быстродействия волноводного фотодиода с квантовыми точками
   
   Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  215–220
8. Исследование $p$–$i$–$n$-фотодетектора с поглощающей средой на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек
   
   Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  202–206
9. Конструкции блокирующих слоев для подавления паразитной рекомбинации в мощных диодных лазерах с GaAs волноводом
   
   Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  363–369
10. Температурные характеристики кольцевых лазеров с активной областью на основе InAs/InGaAs/GaAs-квантовых точек оптического диапазона 1.3 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 48:18 (2022),  36–40
11. Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs
    
    Квантовая электроника, 52:7 (2022),  593–596
12. Мощность насыщения оптического усилителя на основе самоорганизующихся квантовых точек
    
    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  820–825
13. Увеличение оптической мощности микродисковых лазеров InGaAs/GaAs, перенесенных на кремниевую подложку методом термокомпрессии
    
    Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  3–6
14. Энергопотребление при высокочастотной модуляции неохлаждаемого InGaAs/GaAs/AlGaAs-микродискового лазера
    
    Письма в ЖТФ, 47:13 (2021),  28–31
15. Паразитная рекомбинация в лазере с асимметричными барьерными слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  296–303
16. Лазерная генерация перенесенных на кремний инжекционных микродисков с квантовыми точками InAs/InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 46:16 (2020),  3–6
17. Влияние саморазогрева на модуляционные характеристики микродискового лазера
    
    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  3–7
18. Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1122–1127
19. Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 45:19 (2019),  37–39
20. Потребление энергии для высокочастотного переключения микродискового лазера с квантовыми точками
    
    Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  49–51
21. Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе бесфосфорных гетероструктур
    
    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  20–23
22. Нарушение локальной электронейтральности в квантовой яме полупроводникового лазера с асимметричными барьерными слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1518–1526
23. Подавление волноводной рекомбинации за счет использования парных асимметричных барьеров в лазерных гетероструктурах
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  260–265
24. Высокая характеристическая температура лазера на квантовых точках InAs/GaAs/InGaAsP с длиной волны излучения около 1.5 мкм, синтезированного на подложке InP
    
    Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1382–1386
25. Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  540–546
26. Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  263–268
27. Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах
    
    Письма в ЖТФ, 43:7 (2017),  86–94
28. Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1425–1428
29. Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1395–1400
30. Теория мощностных характеристик лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями: учет асимметрии заполнения электронных и дырочных состояний
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1380–1386
31. Оптимизация асимметричных барьерных слоев в лазерных гетероструктурах InAlGaAs/AlGaAs на подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  956–960
32. Влияние асимметричных барьерных слоев в волноводной области на мощностные характеристики лазеров на квантовой яме
    
    Письма в ЖТФ, 41:9 (2015),  61–70
33. Спектральная зависимость фактора уширения линии в лазерах на квантовых точках
    
    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1681–1686
34. Лазерная генерация при комнатной температуре в микрокольцевых резонаторах с активной областью на основе квантовых точек
    
    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1396–1399
35. Оптимизация конструкции и режима работы лазера на квантовых точках для снижения тепловых потерь при переключении
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1102–1108
36. Влияние модулированного легирования активной области на одновременную генерацию через основное и возбужденное состояния в лазерах на квантовых точках
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1353–1356
37. Влияние асимметричных барьерных слоев в волноводной области на температурные характеристики лазеров на квантовой яме
    
    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1049–1053
38. Особенности одновременной генерации через основное и возбужденное состояния в лазерах на квантовых точках
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  241–246
39. Влияние возбужденного оптического перехода на фактор уширения спектральной линии лазеров на квантовых точках
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  235–240
40. Влияние нелинейного насыщения усиления на предельную частоту модуляции в лазерах на основе самоорганизующихся квантовых точек
    
    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  996–1000
41. Полупроводниковый лазер с асимметричными барьерными слоями: высокая температурная стабильность
    
    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  540–546