Гридчин Владислав Олегович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Рост атомарно-гладких слоев AlN на подложках Si(111) с предварительным формированием аморфного слоя Si$_x$N$_y$ методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
   
   Письма в ЖТФ, 51:14 (2025),  39–43
2. Влияние постростовой обработки плазмой азота на структурные и оптические свойства InGaN
   
   Письма в ЖТФ, 49:5 (2023),  32–35
3. Формирование InGaAs-квантовых точек в теле AlGaAs-нитевидных нанокристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  689–692
4. Особенности структурных напряжений в нитевидных нанокристаллах InGaN/GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  785–788
5. Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ
   
   Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  32–35
6. Синтез InGaN-наноструктур развитой морфологии на кремнии: влияние температуры подложки на морфологические и оптические свойства
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  884–887
7. Селективный рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии массивов нитевидных нанокристаллов GaN на процессированных SiO$_{x}$/Si-подложках
   
   Письма в ЖТФ, 46:21 (2020),  32–35