Резник Родион Романович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние дизайна буферного слоя на фотолюминесценцию InAs квантовых точек, выращенных на подложках GaAs/Si(100)
   
   Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  16–21
2. Перенос возбуждения через широкий барьер в системе квантовых ям GaAs/AlGaAs различной ширины
   
   Физика твердого тела, 67:1 (2025),  28–30
3. Рост атомарно-гладких слоев AlN на подложках Si(111) с предварительным формированием аморфного слоя Si$_x$N$_y$ методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
   
   Письма в ЖТФ, 51:14 (2025),  39–43
4. Низкотемпературный рост нитевидных и пластинчатых нанокристаллов InAs на подложках Si(100)
   
   Письма в ЖТФ, 50:7 (2024),  27–30
5. Ретрансляция возбуждения люминесценции при каскадных переходах в гибридных наноструктурах на основе ННК InP/InAsP/InP И КТ CdSe/ZnS-TOPO
   
   Оптика и спектроскопия, 131:10 (2023),  1403–1411
6. Формирование наноостровков InAs на поверхности кремния и гетероструктур на их основе
   
   Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  332–337
7. Влияние постростовой обработки плазмой азота на структурные и оптические свойства InGaN
   
   Письма в ЖТФ, 49:5 (2023),  32–35
8. Формирование InGaAs-квантовых точек в теле AlGaAs-нитевидных нанокристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  689–692
9. Кинетика самопроизвольного формирования структуры ядро-оболочка в нитевидных нанокристаллах (In,Ga)As
   
   Письма в ЖТФ, 48:3 (2022),  32–35
10. Особенности структурных напряжений в нитевидных нанокристаллах InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  785–788
11. Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ
    
    Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  32–35
12. Направленное излучение из квантовых точек GaAs в теле нитевидных нанокристаллов AlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 47:8 (2021),  47–50
13. Нелинейное просветление InAs нитевидных нанокристаллов в видимом диапазоне
    
    Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020),  128–133
14. Роль модельных представлений в описании кинетики люминесценции гибридных нитевидных нанокристаллов
    
    Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020),  122–127
15. Фотодинамика люминесценции гибридных наноструктур InP/InAsP/InP ННК, пассивированных слоем ТОРО-CdSe/ZnS КТ
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  952–957
16. Особенности роста наноструктур для терагерцовых квантово-каскадных лазеров и их физические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  902–905
17. Синтез InGaN-наноструктур развитой морфологии на кремнии: влияние температуры подложки на морфологические и оптические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  884–887
18. MBE-grown In$_x$ Ga$_{1-x}$ As nanowires with 50% composition
    
    Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  542
19. Селективный рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии массивов нитевидных нанокристаллов GaN на процессированных SiO$_{x}$/Si-подложках
    
    Письма в ЖТФ, 46:21 (2020),  32–35
20. Безызлучательный перенос энергии в гибридных наноструктурах с различной размерностью
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1289–1292
21. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и свойства наноструктур InGaN разветвленной морфологии на кремниевой подложке
    
    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  48–50
22. Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  37–40
23. Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1464–1468
24. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1317–1320
25. Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1304–1307
26. MBE growth and structural properties of InAs and InGaAs nanowires with different mole fraction of In on Si and strongly mismatched SiC/Si(111) substrates
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  522
27. GaAs wurtzite nanowires for hybrid piezoelectric solar cells
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  511
28. Optical properties of GaN nanowires grown by MBE on SiC/Si(111) hybrid substrate
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  509
29. Hybrid GaAs/AlGaAs nanowire – quantum dot system for single photon sources
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  469
30. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  5–9
31. Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 44:3 (2018),  55–61
32. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1587
33. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1525–1529
34. Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах
    
    Письма в ЖТФ, 43:7 (2017),  86–94
35. Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика твердого тела, 58:10 (2016),  1886–1889
36. Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1644–1646
37. Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1441–1444
38. Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  674–678