Коряжкина Мария Николаевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние концентрации вакансий кислорода на параметры резистивного переключения в мемристорных структурах на основе ZrO$_2$(Y)
   
   ЖТФ, 95:9 (2025),  1733–1743
2. Мемристоры для энергонезависимой резистивной памяти на основе двухслойного диэлектрика Al$_2$O$_3$/ZrO$_2$(Y)
   
   ЖТФ, 94:11 (2024),  1833–1842
3. Исследование влияния оптического излучения на резистивное переключение МДП-структур на основе ZrO$_2$(Y) на подложках Si(001) с наноостровками Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  723–727
4. Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO$_{2}$(Y) с наночастицами Au
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  754–757
5. Исследование резистивного переключения нестационарными сигналами в пленках ZrO$_{2}$(Y) методом атомно-силовой микроскопии
   
   ЖТФ, 89:11 (2019),  1669–1673
6. Механизмы токопереноса и резистивного переключения в конденсаторах со слоями стабилизированного иттрием диоксида гафния
   
   ЖТФ, 89:6 (2019),  927–934
7. Влияние облучения ионами Si$^{+}$ на резистивное переключение мемристивных структур на основе стабилизированного диоксида циркония
   
   Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  3–6
8. Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе Si с наночастицами Au на границе раздела диэлектрик/полупроводник
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1639–1643
9. Электрофизические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе $n$-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя $n$-GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1615–1619
10. Стимулированное светом резистивное переключение в структурах металл–диэлектрик–полупроводник на основе кремния
    
    Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  78–84
11. Особенности явления неравновесного обеднения, сопровождаемого процессами захвата неосновных носителей поверхностными состояниями, в структурах металл–диэлектрик–полупроводник
    
    Письма в ЖТФ, 42:3 (2016),  52–60
12. Процесс формовки в элементах резистивной памяти на основе структур металл–диэлектрик–полупроводник
    
    Письма в ЖТФ, 40:19 (2014),  18–26
13. Конденсаторы с нелинейными характеристиками на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота
    
    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  9–16
14. Особенности пиннинга уровня Ферми на границе раздела Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As с анодным оксидом и стабилизированным диоксидом циркония
    
    Письма в ЖТФ, 39:23 (2013),  72–79