Оболенский Сергей Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Флуктуационный анализ микрорельефа поверхности структур кремний-на-изоляторе после радиационного воздействия
   
   Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024),  668–675
2. Особенности трансформации микрорельефа структур “кремний на изоляторе” при воздействии фотонных и корпускулярных излучений
   
   ЖТФ, 93:7 (2023),  1025–1031
3. Влияние процесса образования единичного кластера радиационных дефектов на переключение состояния транзисторной ячейки памяти
   
   Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  270–275
4. Влияние процесса формирования единичного кластера радиационных дефектов на проводимость канала транзисторной структуры
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  637–641
5. Модель для многопараметрического анализа параметров короткоканальных транзисторов типа НЕМТ
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  618–623
6. Радиационная стойкость источника субтерагерцового излучения из гетеродина на генераторе на диоде Ганна и умножителя на полупроводниковой сверхрешетке
   
   ЖТФ, 91:10 (2021),  1501–1503
7. Кремниевый металл-оксид-полупроводник транзистор с зависимым контактом к карману и двухслойным поликремниевым затвором
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  916–921
8. Влияние технологии двойного травления под затвор на параметры HEMT транзисторов на подложках GaAs и InP
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  890–894
9. Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик pHEMT на основе соединения GaAlAs/InGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  872–876
10. Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов
    
    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  846–849
11. Моделирование реакции сверхвысокочастотного низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства и фемтосекундных лазерных импульсов
    
    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  743–747
12. Исследование ионной имплантации азота через слой нитрида кремния для межприборной изоляции силовых GaN/Si-транзисторов
    
    Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  15–17
13. Моделирование реакции низкобарьерного диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства
    
    Письма в ЖТФ, 47:6 (2021),  51–54
14. Комплексное исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs-структурах после нейтронного воздействия
    
    Письма в ЖТФ, 47:5 (2021),  38–41
15. Возможности метода ВИМС для анализа профиля имплантированного водорода в кремнии и примесного состава структур “кремний на изоляторе”
    
    ЖТФ, 90:11 (2020),  1850–1853
16. Сравнение эффективности перспективных гетероструктурных умножительных диодов терагерцового диапазона частот
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1158–1162
17. Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора $\sim$100 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  968–973
18. Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  945–951
19. Разогрев и релаксация энергии электронно-дырочного газа в треке первичного атома отдачи
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  791–795
20. Сравнение радиационной стойкости перспективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1391–1394
21. Моделирование образования каскада смещений и переходных ионизационных процессов в кремниевых полупроводниковых структурах при нейтронном воздействии
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1279–1284
22. Численное моделирование вольт-амперных характеристик двуслойной резистивной памяти на основе нестехиометрических оксидов металлов
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1275–1278
23. Расчетно-экспериментальное моделирование обратимых сбоев ячеек статической памяти субмикронных микросхем при воздействии потоков нейтронов
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1250–1256
24. Исследование радиационной стойкости фотодиодов на структурах кремний-на-сапфире
    
    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  388–395
25. Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного $\gamma$- и $\gamma$-нейтронного облучения
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1414–1420
26. Разработка физико-топологической модели реакции мощного вертикального ДМОП транзистора на воздействие импульсного гамма-излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1366–1372
27. Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео–Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1295–1299
28. Анализ параметров GaN-HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1543–1546
29. Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1520–1524
30. Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1493–1497
31. Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1489–1492
32. Влияние случайных неоднородностей в пространственном распределении кластеров радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при нейтронном воздействии
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1706–1712
33. Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1605–1609
34. Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1599–1604
35. Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1548–1553
36. Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после $\gamma$-нейтронного облучения
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  331–338
37. Высокочастотное детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов в полупроводниковых структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1585–1592
38. Радиационная стойкость планарных диодов Ганна с $\delta$-легированными слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1507–1515
39. Перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при радиационном воздействии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  71–75
40. Моделирование мощных HEMT при облучении квантами высоких энергий
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1587–1592
41. Естественные неоднородности в распределении туннельного тока по площади обратносмещенного кремниевого $p$–$n$-перехода
    
    Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  134–139
42. Сравнительный анализ радиационного воздействия на электролюминесценцию кремния и SiGe/Si(001)-гетероструктур с самоформирующимися наноостровками
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  230–234
43. Электрические и люминесцентные свойства кремниевых диодных светоизлучающих структур $p^+/n^+/n$-Si:Er туннельно-пролетного типа
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1533–1538
44. Влияние радиационного воздействия на люминесцентные свойства низкоразмерных гетероструктур SiGe/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  346–351