Козлов Владимир Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Моделирование реакции сверхвысокочастотного низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства и фемтосекундных лазерных импульсов
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  743–747
2. Сравнение эффективности перспективных гетероструктурных умножительных диодов терагерцового диапазона частот
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1158–1162
3. Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  945–951
4. Разогрев и релаксация энергии электронно-дырочного газа в треке первичного атома отдачи
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  791–795
5. Сравнение радиационной стойкости перспективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1391–1394
6. Моделирование образования каскада смещений и переходных ионизационных процессов в кремниевых полупроводниковых структурах при нейтронном воздействии
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1279–1284
7. Расчетно-экспериментальное моделирование обратимых сбоев ячеек статической памяти субмикронных микросхем при воздействии потоков нейтронов
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1250–1256
8. Сравнение особенностей транспорта электронов и субтетрагерцовой генерации в диодах на основе 6-, 18-, 30-, 70- и 120-периодных сверхрешеток GaAs/AlAs
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1218–1223
9. Радиационная стойкость терагерцовых диодов на основе GaAs/AlAs-сверхрешеток
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1337–1345
10. Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео–Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1295–1299
11. Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1520–1524
12. Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1493–1497
13. Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1489–1492
14. Влияние случайных неоднородностей в пространственном распределении кластеров радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при нейтронном воздействии
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1706–1712
15. Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1605–1609
16. Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1548–1553
17. Высокочастотное детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов в полупроводниковых структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1585–1592
18. Перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при радиационном воздействии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  71–75
19. Естественные неоднородности в распределении туннельного тока по площади обратносмещенного кремниевого $p$–$n$-перехода
    
    Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  134–139
20. Туннельный транспорт электронов через гетеробарьеры с нанометровыми неоднородностями
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1547–1551
21. Электрические и люминесцентные свойства кремниевых диодных светоизлучающих структур $p^+/n^+/n$-Si:Er туннельно-пролетного типа
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1533–1538