RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Забавичев Илья Юрьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Флуктуационный анализ микрорельефа поверхности структур кремний-на-изоляторе после радиационного воздействия

    Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024),  668–675
  2. Особенности трансформации микрорельефа структур “кремний на изоляторе” при воздействии фотонных и корпускулярных излучений

    ЖТФ, 93:7 (2023),  1025–1031
  3. Влияние процесса образования единичного кластера радиационных дефектов на переключение состояния транзисторной ячейки памяти

    Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  270–275
  4. Влияние процесса формирования единичного кластера радиационных дефектов на проводимость канала транзисторной структуры

    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  637–641
  5. Моделирование реакции сверхвысокочастотного низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства и фемтосекундных лазерных импульсов

    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  743–747
  6. Моделирование реакции низкобарьерного диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства

    Письма в ЖТФ, 47:6 (2021),  51–54
  7. Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  945–951
  8. Моделирование образования каскада смещений и переходных ионизационных процессов в кремниевых полупроводниковых структурах при нейтронном воздействии

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1279–1284
  9. Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения

    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1520–1524
  10. Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов

    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1489–1492


© МИАН, 2026