|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Флуктуационный анализ микрорельефа поверхности структур кремний-на-изоляторе после радиационного воздействия
Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024), 668–675
-
Особенности трансформации микрорельефа структур “кремний на изоляторе” при воздействии фотонных и корпускулярных излучений
ЖТФ, 93:7 (2023), 1025–1031
-
Влияние процесса образования единичного кластера радиационных дефектов на переключение состояния транзисторной ячейки памяти
Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023), 270–275
-
Влияние процесса формирования единичного кластера радиационных дефектов на проводимость канала транзисторной структуры
Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 637–641
-
Моделирование реакции сверхвысокочастотного низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства и фемтосекундных лазерных импульсов
Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 743–747
-
Моделирование реакции низкобарьерного диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства
Письма в ЖТФ, 47:6 (2021), 51–54
-
Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах
Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 945–951
-
Моделирование образования каскада смещений и переходных ионизационных процессов в кремниевых полупроводниковых структурах при нейтронном воздействии
Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1279–1284
-
Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения
Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1520–1524
-
Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов
Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1489–1492
© , 2026