Пузанов Александр Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Флуктуационный анализ микрорельефа поверхности структур кремний-на-изоляторе после радиационного воздействия
   
   Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024),  668–675
2. Особенности трансформации микрорельефа структур “кремний на изоляторе” при воздействии фотонных и корпускулярных излучений
   
   ЖТФ, 93:7 (2023),  1025–1031
3. Влияние процесса образования единичного кластера радиационных дефектов на переключение состояния транзисторной ячейки памяти
   
   Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  270–275
4. Анализ нелинейных искажений D$p$HEMT структур на основе соединения GaAs/InGaAs с двусторонним дельта-легированием
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  844–847
5. Влияние процесса формирования единичного кластера радиационных дефектов на проводимость канала транзисторной структуры
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  637–641
6. Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик pHEMT на основе соединения GaAlAs/InGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  872–876
7. Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  846–849
8. Моделирование реакции сверхвысокочастотного низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства и фемтосекундных лазерных импульсов
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  743–747
9. Моделирование реакции низкобарьерного диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства
   
   Письма в ЖТФ, 47:6 (2021),  51–54
10. Комплексное исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs-структурах после нейтронного воздействия
    
    Письма в ЖТФ, 47:5 (2021),  38–41
11. Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора $\sim$100 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  968–973
12. Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  945–951
13. Разогрев и релаксация энергии электронно-дырочного газа в треке первичного атома отдачи
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  791–795
14. Сравнение радиационной стойкости перспективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1391–1394
15. Моделирование образования каскада смещений и переходных ионизационных процессов в кремниевых полупроводниковых структурах при нейтронном воздействии
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1279–1284
16. Расчетно-экспериментальное моделирование обратимых сбоев ячеек статической памяти субмикронных микросхем при воздействии потоков нейтронов
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1250–1256
17. Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео–Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1295–1299
18. Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1520–1524
19. Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1489–1492
20. Влияние случайных неоднородностей в пространственном распределении кластеров радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при нейтронном воздействии
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1706–1712
21. Высокочастотное детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов в полупроводниковых структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1585–1592
22. Перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при радиационном воздействии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  71–75