RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Prutskij Tatiana

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  704–710
  2. Единовременный анализ микрообластей кариозного дентина методами лазерно-индуцированной флуоресценции и рамановской спектромикроскопии

    Оптика и спектроскопия, 125:5 (2018),  708–715
  3. Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их оптические свойства

    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1160–1167
  4. Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их структурные и морфологические свойства

    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1131–1137
  5. Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости

    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  124–132
  6. Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом

    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  869–876
  7. Структурные и оптические свойства высоколегированных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$ : Mg, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1123–1131
  8. Структура и оптические свойства гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$)$_{1-z}$Si$_z$, полученных методом MOCVD

    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  23–31
  9. Сверхструктурное упорядочение в твердых растворах Al$_x$Ga$_{1-x}$As и Ga$_x$In$_{1-x}$P

    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  3–8

  10. Фотолюминесцентные свойства высоколегированных гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$Si$_y$

    Физика твердого тела, 55:10 (2013),  2054–2057
  11. Рентгеноструктурные исследования гетероструктур на основе твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$ : Si

    Физика твердого тела, 55:10 (2013),  2046–2049


© МИАН, 2026