|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 704–710
-
Единовременный анализ микрообластей кариозного дентина методами лазерно-индуцированной флуоресценции и рамановской спектромикроскопии
Оптика и спектроскопия, 125:5 (2018), 708–715
-
Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их оптические свойства
Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1160–1167
-
Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их структурные и морфологические свойства
Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1131–1137
-
Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости
Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 124–132
-
Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом
Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 869–876
-
Структурные и оптические свойства высоколегированных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$ : Mg, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1123–1131
-
Структура и оптические свойства гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$)$_{1-z}$Si$_z$, полученных методом MOCVD
Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 23–31
-
Сверхструктурное упорядочение в твердых растворах Al$_x$Ga$_{1-x}$As и Ga$_x$In$_{1-x}$P
Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 3–8
-
Фотолюминесцентные свойства высоколегированных гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$Si$_y$
Физика твердого тела, 55:10 (2013), 2054–2057
-
Рентгеноструктурные исследования гетероструктур на основе твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$ : Si
Физика твердого тела, 55:10 (2013), 2046–2049
© , 2026