Шварц Максим Зиновьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние параметров $p$–$n$-переходов на оптимизацию конструкции контактов в фотоэлектрических преобразователях лазерного излучения
   
   Письма в ЖТФ, 52:4 (2026),  8–11
2. AlGaAs-субэлементы для гибридных А$^3$В$^5$//Si солнечных элементов
   
   Письма в ЖТФ, 52:3 (2026),  49–52
3. Фотолюминесценция квантовых точек PbS в матрице неорганического стекла при возбуждении светодиодами: спектры и квантовый выход
   
   Оптика и спектроскопия, 133:10 (2025),  1068–1070
4. Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения $\lambda$ = 1064 нм на основе GaInAsP/InP
   
   Физика и техника полупроводников, 59:8 (2025),  447–451
5. Гибридные каскадные солнечные элементы на основе бондинга материалов А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ и кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025),  328–331
6. Метаморфные InGaAs/GaAs-гетероструктуры для радиационно стойких фотопреобразователей лазерного излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  291–293
7. Определение дисбаланса фотогенерированных токов в многопереходных фотопреобразователях лазерного излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  219–222
8. Исследование времен жизни неравновесных носителей заряда электролюминесцентным методом в многопереходных солнечных элементах при облучении протонами и электронами высоких энергий
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  214–218
9. Увеличение эффективности ввода оптической мощности в AlGaAs/GaAs фотоэлектрических преобразователях лазерного излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  209–213
10. Тандемные GaInP/Ga(In)As-структуры для трехпереходных гибридных GaInP/Ga(In)As//Si солнечных элементов
    
    Письма в ЖТФ, 51:13 (2025),  40–43
11. От сферы до полусферы: выбор вторичных концентраторных элементов для “micro-CPV”-модуля
    
    Письма в ЖТФ, 51:5 (2025),  20–24
12. Эффективность концентраторных фотоэлектрических модулей на основе короткофокусных линз Френеля и A$^3$B$^5$ солнечных элементов
    
    ЖТФ, 94:10 (2024),  1701–1706
13. Фотоэлектрический приемник лазерного излучения на основе германия
    
    ЖТФ, 94:5 (2024),  801–807
14. Определение тока насыщения электролюминесценции светодиодов с набором квантовых ям
    
    Оптика и спектроскопия, 132:12 (2024),  1214–1218
15. Вторичная оптика для системы “micro-CPV”-модуля
    
    Письма в ЖТФ, 50:23 (2024),  82–84
16. Концентраторные фотоэлектрические модули на основе короткофокусных линз Френеля с комбинированным профилем
    
    Письма в ЖТФ, 50:23 (2024),  77–81
17. Мощный субнаносекундный модуль на основе $p$–$i$–$n$ AlGaAs/GaAs-фотодиодов
    
    Письма в ЖТФ, 50:19 (2024),  5–8
18. Оптимизационные решения для фотоэлектрических модулей с линзами Френеля и трех-/пятипереходными солнечными элементами
    
    Письма в ЖТФ, 50:18 (2024),  7–10
19. Субнаносекундные AlGaAs/GaAs-фотодетекторы с брэгговским отражателем
    
    Письма в ЖТФ, 50:17 (2024),  38–41
20. Поиск компромиссных конструктивных решений для модулей с линзовыми концентраторами солнечного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 50:7 (2024),  8–11
21. Токовый инвариант как метод поиска оптимальной ширины запрещенной зоны субэлементов многопереходных солнечных элементов
    
    Письма в ЖТФ, 50:5 (2024),  32–34
22. Исследование возможности повышения годовой выработки электроэнергии за счет использования кремниевых солнечных элементов с наноструктурированной поверхностью
    
    Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  522–525
23. Методика контроля соотношения прямой и диффузной компонент солнечного излучения при измерении фотоэлектрических характеристик гибридного модуля
    
    Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  69–72
24. Гибридные солнечные модули: сравнение результатов лабораторных и натурных исследований
    
    Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  56–58
25. Поиск оптимального решения для оптической системы “micro-CPV”-модуля
    
    Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  46–48
26. Исследование характеристик гибридных фотоэлектрических модулей в условиях локальной неравномерности облученности и частичного затенения
    
    Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  42–45
27. Влияние дисбаланса фотогенерированных токов на вольт-амперные характеристики многопереходных солнечных элементов
    
    Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  38–41
28. Высокоэффективные GaInP/GaAs-фотопреобразователи лазерной линии 600 nm
    
    Письма в ЖТФ, 49:6 (2023),  32–34
29. Гибридный концентраторно-планарный фотоэлектрический модуль с гетероструктурными солнечными элементами
    
    Письма в ЖТФ, 49:4 (2023),  15–19
30. Температурный режим и механические напряжения в корпусированных фотоэлектрических преобразователях концентрированного солнечного излучения
    
    ЖТФ, 92:3 (2022),  457–461
31. Фотопреобразователь лазерного излучения на основе GaInP с КПД 46.7% на длине волны 600 nm
    
    Письма в ЖТФ, 48:5 (2022),  24–26
32. Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями
    
    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1218–1222
33. Термофотоэлектрические GaSb-преобразователи излучения инфракрасных селективных эмиттеров
    
    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  956–959
34. Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными квантовыми ямами InGaAs и “тыльным” отражателем
    
    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  699–703
35. Исследование фотоэлектрических характеристик GaAs-фотопреобразователей при различном расположении массива квантовых точек InGaAs в $i$-области
    
    Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  28–31
36. Увеличение эффективности трехпереходных солнечных элементов за счет метаморфного InGaAs-субэлемента
    
    Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  51–54
37. Увеличение коэффициента полезного действия фотопреобразователей лазерного излучения диапазона 520–540 nm на основе гетероструктур GaInP/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 47:6 (2021),  29–31
38. Модули фотоэлектрических преобразователей лазерного ($\lambda$ = 809–850 nm) излучения
    
    ЖТФ, 90:10 (2020),  1764–1768
39. Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As и фотоэлектрических преобразователей на их основе
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1079–1087
40. Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей
    
    Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  400–407
41. Влияние температуры на характеристики 4$H$-SiC-фотоприемника
    
    Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  195–201
42. Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950–1100 nm на основе In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки
    
    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  11–14
43. Влияние числа рядов GaInAs-квантовых объектов на ток насыщения GaAs-фотопреобразователей
    
    Письма в ЖТФ, 46:12 (2020),  30–33
44. Определение по спектру фототока ширины запрещенной зоны Ga$_{1-x}$In$_{x}$As $p$–$n$-переходов на метаморфном буфере
    
    Письма в ЖТФ, 46:7 (2020),  29–31
45. Экспериментальное и теоретическое исследование спектров фоточувствительности структур с квантовыми ямами-точками In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As оптического диапазона 900–1050 nm
    
    Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  3–6
46. Латеральные наноструктуры Ga(In)AsP как часть оптической системы фотопреобразователей на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1714–1717
47. Противодействующий фотовольтаический эффект в верхней межгенераторной части трехпереходных GaInP/GaAs/Ge солнечных элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1568–1572
48. Модуль фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1135–1139
49. Увеличение фототока Ga(In)As-субэлемента в многопереходных солнечных элементах GaInP/Ga(In)As/Ge
    
    Письма в ЖТФ, 45:24 (2019),  41–43
50. Квантовый выход кремниевого XUV-лавинного фотодиода в диапазоне длин волн 320–1100 nm
    
    Письма в ЖТФ, 45:24 (2019),  10–13
51. Аномалии в фотовольтаических характеристиках многопереходных солнечных элементов при сверхвысоких концентрациях солнечного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  37–39
52. Характеристики кремниевого лавинного фотодиода для ближнего ИК-диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  40–42
53. Высокоэффективное преобразование лазерного излучения высокой плотности
    
    Письма в ЖТФ, 45:2 (2019),  26–28
54. Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей
    
    ЖТФ, 88:8 (2018),  1211–1215
55. Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1647–1650
56. Многослойные InGaAs-гетероструктуры “квантовая яма-точки” в фотопреобразователях на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1131–1136
57. Рекомбинация в GaAs $p$-$i$-$n$-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1126–1130
58. In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  729–735
59. Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 808 нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  385–389
60. Оптические свойства InGaAs/InAlAs метаморфных наногетероструктур для фотопреобразователей лазерного и солнечного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  50–58
61. Влияние толщины базы на эффективность фотопреобразования текстурированных солнечных элементов на основе кремния
    
    Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  40–49
62. Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  94–100
63. Влияние двух- и трехслойных просветляющих покрытий на формирование фототоков в многопереходных солнечных элементах на основе A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  89–93
64. Особенности токопрохождения в гетеропереходных солнечных элементах на основе $\alpha$-Si : H/Si
    
    Письма в ЖТФ, 43:3 (2017),  29–38
65. Растекание тока в солнечных элементах: двухпараметрическая трубковая модель
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  987–992
66. Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  525–530
67. Моделирование характеристик фотопреобразователей лазерного излучения InGaAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  132–137
68. Моделирование омических потерь в фотопреобразователях лазерного излучения для длин волн 809 и 1064 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  125–131
69. Исследование влияния температуры на характеристики гетеропереходных солнечных элементов на основе кристаллического кремния
    
    Письма в ЖТФ, 42:6 (2016),  70–76
70. Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе InGaAsP(1.0 эВ)/InP-гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  715–718
71. Гибкие солнечные модули на основе аморфного гидрогенизированного кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  693–696
72. Оценка потенциальной эффективности многопереходного солнечного элемента при предельном балансе фотогенерированных токов
    
    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  682–687
73. Разностный способ получения темновой вольт-амперной характеристики и ее виды для остаточной (негенерирующей) части многопереходного солнечного элемента
    
    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  671–676
74. Исследование фотоответа кремниевого мультипиксельного счетчика фотонов в вакуумном ультрафиолете
    
    Письма в ЖТФ, 40:8 (2014),  23–29
75. Концентраторные фотоэлектрические модули со спектральным расщеплением света с солнечными элементами на основе структур AlGaAs/GaAs/GaSb и GaInP/InGaAs(P)
    
    ЖТФ, 83:7 (2013),  106–110
76. Методика исследования световой деградации тандемных фотопреобразователей $\alpha$-Si : H/$\mu c$-Si : H при повышенной освещенности
    
    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1385–1390
77. Анализ механизмов световой деградации в солнечных фотопреобразователях $\alpha$-Si:H/$\mu$-Si:H
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1264–1269
78. Исследование световой деградации тандемных $\alpha$-Si : H/$\mu c$-Si : H солнечных фотопреобразователей
    
    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  667–674
79. Фотоиндуцированная деградация тандемных $\alpha$-Si : H/$\mu$c-Si : H фотопреобразователей при повышенных температурах
    
    Письма в ЖТФ, 39:20 (2013),  40–48
80. Солнечный элемент из кремния $n$-типа, двусторонний, концентраторный
    
    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1217–1223
81. Фотоэлектрическое определение последовательного сопротивления многопереходных солнечных элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1074–1081
82. Влияние положения массива InGaAs квантовых точек на спектральные характеристики AlGaAs/GaAs фотопреобразователей
    
    Письма в ЖТФ, 38:22 (2012),  43–49
83. Высокоэффективный ($\eta$ = 39.6%, AM 1.5D) каскад фотопреобразователей в системе со спектральным расщеплением солнечного излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  810–815
84. Многопереходные солнечные элементы с брэгговскими отражателями на основе структур GaInP/GaInAs/Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1649–1654
85. Германиевые субэлементы для многопереходных фотоэлектрических преобразователей GaInP/GaInAs/Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1568–1576
86. Исследование диффузионных длин неосновных носителей заряда в фотоактивных слоях многопереходных солнечных элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1118–1123
87. Термофотоэлектрические генераторы на основе антимонида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  270–277