Нахимович Мария Валерьевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. AlGaAs-субэлементы для гибридных А$^3$В$^5$//Si солнечных элементов
   
   Письма в ЖТФ, 52:3 (2026),  49–52
2. Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения $\lambda$ = 1064 нм на основе GaInAsP/InP
   
   Физика и техника полупроводников, 59:8 (2025),  447–451
3. Гибридные каскадные солнечные элементы на основе бондинга материалов А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ и кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025),  328–331
4. Метаморфные InGaAs/GaAs-гетероструктуры для радиационно стойких фотопреобразователей лазерного излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  291–293
5. Определение дисбаланса фотогенерированных токов в многопереходных фотопреобразователях лазерного излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  219–222
6. Исследование времен жизни неравновесных носителей заряда электролюминесцентным методом в многопереходных солнечных элементах при облучении протонами и электронами высоких энергий
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  214–218
7. Увеличение эффективности ввода оптической мощности в AlGaAs/GaAs фотоэлектрических преобразователях лазерного излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  209–213
8. Тандемные GaInP/Ga(In)As-структуры для трехпереходных гибридных GaInP/Ga(In)As//Si солнечных элементов
   
   Письма в ЖТФ, 51:13 (2025),  40–43
9. От сферы до полусферы: выбор вторичных концентраторных элементов для “micro-CPV”-модуля
   
   Письма в ЖТФ, 51:5 (2025),  20–24
10. Микроразмерные GaSb фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения высокой плотности
    
    Письма в ЖТФ, 51:4 (2025),  50–53
11. Эффективность концентраторных фотоэлектрических модулей на основе короткофокусных линз Френеля и A$^3$B$^5$ солнечных элементов
    
    ЖТФ, 94:10 (2024),  1701–1706
12. Формирование световыводящей поверхности инфракрасных (850 nm) светоизлучающих диодов
    
    ЖТФ, 94:6 (2024),  888–893
13. Вторичная оптика для системы “micro-CPV”-модуля
    
    Письма в ЖТФ, 50:23 (2024),  82–84
14. Концентраторные фотоэлектрические модули на основе короткофокусных линз Френеля с комбинированным профилем
    
    Письма в ЖТФ, 50:23 (2024),  77–81
15. Электрохимическое осаждение контактных материалов к мощным фотоэлектрическим преобразователям на основе GaSb
    
    Письма в ЖТФ, 50:22 (2024),  7–10
16. Влияние свойств тыльного отражателя на характеристики инфракрасных светоизлучающих диодов на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктуры
    
    Письма в ЖТФ, 50:18 (2024),  22–26
17. Оптимизационные решения для фотоэлектрических модулей с линзами Френеля и трех-/пятипереходными солнечными элементами
    
    Письма в ЖТФ, 50:18 (2024),  7–10
18. Поиск компромиссных конструктивных решений для модулей с линзовыми концентраторами солнечного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 50:7 (2024),  8–11
19. Гибридные солнечные модули: сравнение результатов лабораторных и натурных исследований
    
    Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  56–58
20. Исследование характеристик гибридных фотоэлектрических модулей в условиях локальной неравномерности облученности и частичного затенения
    
    Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  42–45
21. Высокоэффективные GaInP/GaAs-фотопреобразователи лазерной линии 600 nm
    
    Письма в ЖТФ, 49:6 (2023),  32–34
22. Гибридный концентраторно-планарный фотоэлектрический модуль с гетероструктурными солнечными элементами
    
    Письма в ЖТФ, 49:4 (2023),  15–19
23. Получение анизотипных гетероструктур для фотоэлектрического преобразователя на основе GaSb за счет твердофазных реакций замещения
    
    Письма в ЖТФ, 48:21 (2022),  3–5
24. Фотопреобразователь лазерного излучения на основе GaInP с КПД 46.7% на длине волны 600 nm
    
    Письма в ЖТФ, 48:5 (2022),  24–26
25. Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями
    
    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1218–1222
26. Фотоэлектрические преобразователи узкополосного излучения на основе гетероструктур InGaAsP/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1091–1094
27. Термофотоэлектрические GaSb-преобразователи излучения инфракрасных селективных эмиттеров
    
    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  956–959
28. Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными квантовыми ямами InGaAs и “тыльным” отражателем
    
    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  699–703
29. Исследование фотоэлектрических характеристик GaAs-фотопреобразователей при различном расположении массива квантовых точек InGaAs в $i$-области
    
    Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  28–31
30. Увеличение эффективности трехпереходных солнечных элементов за счет метаморфного InGaAs-субэлемента
    
    Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  51–54
31. Увеличение коэффициента полезного действия фотопреобразователей лазерного излучения диапазона 520–540 nm на основе гетероструктур GaInP/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 47:6 (2021),  29–31
32. Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей
    
    Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  400–407
33. Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950–1100 nm на основе In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки
    
    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  11–14