Прудаев Илья Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние температуры на напряжение переключения лавинных $S$-диодов
   
   Письма в ЖТФ, 51:4 (2025),  23–26
2. Механизм последовательного включения токовых шнуров в лавинном $S$-диоде
   
   Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024),  393–399
3. Влияние барьерных контактов на транспорт носителей заряда в однородных структурах из GaAs, легированных глубокими центрами Cr и EL$_2$
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  693–698
4. Нелинейность вольт-амперных характеристик однородных компенсированных детекторных структур из GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  37–40
5. Транспорт носителей заряда и перезарядка глубоких уровней в структурах для лавинных $S$-диодов на основе GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 44:11 (2018),  21–29
6. Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  240–246
7. Связь структурно-фазовых изменений в пленках оксида титана с электрическими и фотоэлектрическими характеристиками структур TiO$_{2}$–Si
   
   Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1178–1184
8. Механизм проводимости пленок оксида титана и структур металл–TiO$_{2}$–Si
   
   Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1036–1040
9. Глубокие центры в структурах TiO$_2$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1036–1042
10. Фотоэлектрические характеристики структур металл – Ga$_2$O$_3$–GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  357–363
11. Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1391–1395
12. Исследование процесса распада пересыщенного твердого раствора GaAs : Fe методом сканирующей зондовой микроскопии
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1009–1011