Гусейнов Давуд Вадимович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Эффекты анизотропного рассеяния в тонких пленках YBCO
   
   Физика твердого тела, 67:7 (2025),  1254–1261
2. Генерация спиновых токов в $n$-Si, легированном фосфором, сурьмой и висмутом и влияние на них процессов рассеяния спинов с переворотом
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  654–658
3. Поведение доноров лития в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1134–1138
4. Поведение доноров фосфора в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  933–937
5. Ballistic hole emission spectroscopy of self-assembled GeSi/Si(001) nanoislands
   
   Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  505
6. Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  274–278
7. Фотодетекторы на базе гетероструктур Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки
   
   Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1411–1414
8. Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  399–405
9. Особенности формирования и свойства светоизлучающих структур на основе ионно-синтезированных нанокристаллов кремния в матрицах SiO$_2$ и Al$_2$O$_3$
   
   Физика твердого тела, 54:2 (2012),  347–359
10. Температурная перенормировка $g$-фактора электронов проводимости в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1604–1608
11. Исследование структуры основного состояния донорного центра лития в кремнии, обогащенном изотопом $^{28}$Si, и влияния на нее внутренних деформаций кристалла
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1468–1474