Илькив Игорь Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние дизайна буферного слоя на фотолюминесценцию InAs квантовых точек, выращенных на подложках GaAs/Si(100)
   
   Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  16–21
2. Перенос возбуждения через широкий барьер в системе квантовых ям GaAs/AlGaAs различной ширины
   
   Физика твердого тела, 67:1 (2025),  28–30
3. Вариации электрического потенциала металлической наночастицы на диэлектрике
   
   Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  620–628
4. Особенности роста нитевидных наноструктур InP на подложках кремния из паровой фазы
   
   Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  530–533
5. Формирование наноостровков InAs на поверхности кремния и гетероструктур на их основе
   
   Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  332–337
6. Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  621–624
7. Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1507–1511
8. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1317–1320
9. Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1304–1307
10. Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика твердого тела, 58:10 (2016),  1886–1889