Потапович Наталия Станиславовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Резонансное отражение света от периодической системы квазидвумерных слоев наночастиц Bi в GaAs
   
   Физика твердого тела, 67:11 (2025),  2203–2207
2. Фотоэлектрические преобразователи террасированного типа на основе GaSb
   
   Письма в ЖТФ, 51:14 (2025),  15–19
3. Контактные системы для фотоэлектрических преобразователей на основе InGaAsP/InP
   
   Письма в ЖТФ, 50:5 (2024),  28–31
4. Моделирование профилей распределения алюминия в эпитаксиальном слое в системе Al–Ga–As–Sn
   
   Письма в ЖТФ, 50:1 (2024),  36–38
5. Получение градиентных слоев в четырехкомпонентной системе Al–Ga–As–Sn методом жидкофазной эпитаксии
   
   ЖТФ, 93:10 (2023),  1476–1480
6. Исследование концентраторных фотоэлектрических модулей с отражающими элементами вторичной оптики
   
   ЖТФ, 93:6 (2023),  809–816
7. Фронтальный контакт к GaSb-фотопреобразователям: свойства и температурная стабильность
   
   Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  35–41
8. Влияние режимов формирования контактной системы Pd/Ge/Au к $n$-GaAs на ее электрические характеристики
   
   Письма в ЖТФ, 49:3 (2023),  15–18
9. К 125-летию со дня рождения лауреата Нобелевской премии академика Николая Николаевича Семенова. Высокоэффективные фотоэлектрические модули с концентраторами солнечного излучения
   
   ЖТФ, 91:6 (2021),  915–921
10. Фотоэлектрические преобразователи узкополосного излучения на основе гетероструктур InGaAsP/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1091–1094
11. Влияние внутренних отражателей на эффективность инфракрасных (850 нм) светодиодов
    
    Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  614–617
12. Исследование влияния вторичных объемных концентраторов на выходные параметры фотоэлектрических модулей
    
    ЖТФ, 90:12 (2020),  2118–2122
13. Модули фотоэлектрических преобразователей лазерного ($\lambda$ = 809–850 nm) излучения
    
    ЖТФ, 90:10 (2020),  1764–1768
14. Высокоэффективные фотоэлектрические модули с концентраторами солнечного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  24–26
15. Увеличение КПД концентраторных фотоэлектрических модулей при использовании фоконов в качестве вторичных оптических концентраторов
    
    Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  38–40
16. Модуль фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1135–1139
17. Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1647–1650
18. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм) на основе GaInAsP/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1641–1646
19. Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 808 нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  385–389
20. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения на основе гетероструктур InP(GaAs)/InP, полученные методом жидкофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 44:18 (2018),  31–38
21. Фотоэлектрический приемник лазерного излучения ($\lambda$ = 809 нм) на основе GаAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  676–679
22. Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1242–1246
23. Температурная стабильность контактных систем фотоэлектрических преобразователей на основе GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1280–1286
24. Концентраторные фотоэлектрические модули со спектральным расщеплением света с солнечными элементами на основе структур AlGaAs/GaAs/GaSb и GaInP/InGaAs(P)
    
    ЖТФ, 83:7 (2013),  106–110
25. Высокоэффективные фотоэлементы на основе GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  273–279
26. Высокоэффективный ($\eta$ = 39.6%, AM 1.5D) каскад фотопреобразователей в системе со спектральным расщеплением солнечного излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  810–815
27. Исследование процесса отвода тепла от полупроводниковых солнечных элементов с помощью лазерных термоволновых методов
    
    Письма в ЖТФ, 37:14 (2011),  60–67
28. Термофотоэлектрические генераторы на основе антимонида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  270–277