Покровский Павел Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Контактные системы “мостикового” типа в InGaAs/InP фотоэлектрических преобразователях
   
   ЖТФ, 96:2 (2026),  345–350
2. Особенности тестирования микроразмерных фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  205–208
3. От сферы до полусферы: выбор вторичных концентраторных элементов для “micro-CPV”-модуля
   
   Письма в ЖТФ, 51:5 (2025),  20–24
4. Микроразмерные GaSb фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения высокой плотности
   
   Письма в ЖТФ, 51:4 (2025),  50–53
5. Взаимосвязь конструкций и эффективности инфракрасных светоизлучающих диодов на основе квантово-размерных гетероструктур AlGaAs
   
   ЖТФ, 94:4 (2024),  632–637
6. Субнаносекундные AlGaAs/GaAs-фотодетекторы с брэгговским отражателем
   
   Письма в ЖТФ, 50:17 (2024),  38–41
7. Исследование технологии изготовления мощных ИК (850 nm) светодиодов, получаемых методом переноса AlGaAs–GaAs-гетероструктуры на подложку-носитель
   
   ЖТФ, 93:1 (2023),  170–174
8. Методика контроля соотношения прямой и диффузной компонент солнечного излучения при измерении фотоэлектрических характеристик гибридного модуля
   
   Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  69–72
9. Гибридные солнечные модули: сравнение результатов лабораторных и натурных исследований
   
   Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  56–58
10. Гибридный концентраторно-планарный фотоэлектрический модуль с гетероструктурными солнечными элементами
    
    Письма в ЖТФ, 49:4 (2023),  15–19
11. Плазмохимическое травление в постростовой технологии фотоэлектрических преобразователей
    
    ЖТФ, 92:4 (2022),  604–607
12. Постростовые технологии каскадных фотоэлектрических преобразователей на основе A$^3$B$^5$-гетероструктур
    
    ЖТФ, 92:1 (2022),  108–112
13. Электрохимическое осаждение контактных материалов в постростовой технологии фотоэлектрических преобразователей
    
    Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  376–379
14. Измерение тепловых характеристик фотоэлектрических концентраторных модулей
    
    ЖТФ, 91:2 (2021),  291–298
15. Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями
    
    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1218–1222
16. Исследование методов текстурирования светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1086–1090
17. Влияние внутренних отражателей на эффективность инфракрасных (850 нм) светодиодов
    
    Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  614–617
18. Динамика влажности воздуха в концентраторном фотоэлектрическом модуле с устройством осушения
    
    Письма в ЖТФ, 47:4 (2021),  52–54
19. Плазмохимическое и жидкостное травление в постростовой технологии каскадных солнечных элементов на основе гетероструктуры GaInP/GaInAs/Ge
    
    Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  14–17
20. Исследование методов пассивации и защиты каскадных солнечных элементов
    
    Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  35–37
21. Высокоэффективные фотоэлектрические модули с концентраторами солнечного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  24–26
22. Система контроля точности слежения за Солнцем концентраторных фотоэнергоустановок
    
    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  11–13
23. Теплоотводящие электроизолирующие платы для фотоэлектрических преобразователей концентрированного солнечного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 46:9 (2020),  29–31
24. Увеличение КПД концентраторных фотоэлектрических модулей при использовании фоконов в качестве вторичных оптических концентраторов
    
    Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  38–40
25. Высокоэффективное преобразование лазерного излучения высокой плотности
    
    Письма в ЖТФ, 45:2 (2019),  26–28
26. Тепловые характеристики высокоэффективных фотоэлектрических преобразователей мощного лазерного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 44:21 (2018),  105–110
27. Высокоэффективные AlGaAs/GaAs фотоэлектрические преобразователи с торцевым вводом лазерного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 44:17 (2018),  42–48
28. Основные фотоэлектрические характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/InGaAs/Ge в широком диапазоне температур (-197 $\le T\le$ +85$^\circ$C)
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1374–1379
29. Измерительные комплексы для исследований солнечных фотоэлектрических преобразователей каскадного типа и концентраторных модулей на их основе
    
    ЖТФ, 85:6 (2015),  104–110
30. Оценка эффективности преобразования тонкопленочных однопереходных $a$-Si : H и тандема $\mu c$-Si:H + $a$-Si:H солнечных элементов из анализа экспериментальных темновых и нагрузочных I–V-характеристик
    
    Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  952–959
31. Оптимизация параметров солнечных модулей на основе линзовых концентраторов излучения и каскадных фотоэлектрических преобразователей
    
    ЖТФ, 80:2 (2010),  118–125