Салий Роман Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Контактные системы “мостикового” типа в InGaAs/InP фотоэлектрических преобразователях
   
   ЖТФ, 96:2 (2026),  345–350
2. Влияние типа подложки-носителя на резистивные и оптические свойства AlGaAs/GaInAs светоизлучающих инфракрасных диодов
   
   ЖТФ, 96:2 (2026),  330–335
3. AlGaAs-субэлементы для гибридных А$^3$В$^5$//Si солнечных элементов
   
   Письма в ЖТФ, 52:3 (2026),  49–52
4. Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения $\lambda$ = 1064 нм на основе GaInAsP/InP
   
   Физика и техника полупроводников, 59:8 (2025),  447–451
5. Гибридные каскадные солнечные элементы на основе бондинга материалов А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ и кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025),  328–331
6. Метаморфные InGaAs/GaAs-гетероструктуры для радиационно стойких фотопреобразователей лазерного излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  291–293
7. Влияние резистивных параметров фотоэлектрических преобразователей на карты электролюминесценции и вольт-амперные характеристики
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  281–285
8. Экспериментально-аналитическое исследование проблемы компенсации механических напряжений в системе InGaAs множественных квантовых ям для излучателей ближнего инфракрасного диапазона
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  190–194
9. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов (Al,Ga)InP$_2$
   
   Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  130–135
10. Тандемные GaInP/Ga(In)As-структуры для трехпереходных гибридных GaInP/Ga(In)As//Si солнечных элементов
    
    Письма в ЖТФ, 51:13 (2025),  40–43
11. Управление параметрами InGaAs квантовых ям в активной области светодиодов ближнего инфракрасного диапазона (850–960 nm)
    
    Оптика и спектроскопия, 132:11 (2024),  1146–1149
12. Влияние степени атомного упорядочения на сегнетоэлектрические свойства твердых растворов GaInP$_2$
    
    Оптика и спектроскопия, 132:11 (2024),  1127–1130
13. Исследование вхождения атомов V группы в арсенид-фосфидные твердые растворы, выращенные методом газофазной эпитаксии при использовании (CH$_3$)$_3$As в качестве источника мышьяка
    
    Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  541–543
14. Влияние свойств тыльного отражателя на характеристики инфракрасных светоизлучающих диодов на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктуры
    
    Письма в ЖТФ, 50:18 (2024),  22–26
15. Фотоприемники с длинноволновой границей 2.4 $\mu$m на основе метаморфных InGaAs/InP-гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 50:17 (2024),  15–18
16. Токовый инвариант как метод поиска оптимальной ширины запрещенной зоны субэлементов многопереходных солнечных элементов
    
    Письма в ЖТФ, 50:5 (2024),  32–34
17. Исследование технологии изготовления мощных ИК (850 nm) светодиодов, получаемых методом переноса AlGaAs–GaAs-гетероструктуры на подложку-носитель
    
    ЖТФ, 93:1 (2023),  170–174
18. Влияние температуры на ток через различные рекомбинационные каналы в GaAs-солнечных элементах с GaInAs-квантовыми точками
    
    Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  700–705
19. Пространственно-селективная эпитаксия квантовых точек InP/GaInP$_2$ из металлоорганических соединений
    
    Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  620–623
20. Эпитаксиальные гетероструктуры активной области светодиодов ближнего инфракрасного диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  538–541
21. Высокоэффективные GaInP/GaAs-фотопреобразователи лазерной линии 600 nm
    
    Письма в ЖТФ, 49:6 (2023),  32–34
22. Исследование квантовых ям InP/GaP, полученных методом газофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 49:6 (2023),  16–20
23. Фотопреобразователь лазерного излучения на основе GaInP с КПД 46.7% на длине волны 600 nm
    
    Письма в ЖТФ, 48:5 (2022),  24–26
24. Быстродействующие фотодетекторы на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 48:4 (2022),  32–35
25. Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями
    
    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1218–1222
26. Влияние внутренних отражателей на эффективность инфракрасных (850 нм) светодиодов
    
    Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  614–617
27. Исследование фотоэлектрических характеристик GaAs-фотопреобразователей при различном расположении массива квантовых точек InGaAs в $i$-области
    
    Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  28–31
28. Увеличение эффективности трехпереходных солнечных элементов за счет метаморфного InGaAs-субэлемента
    
    Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  51–54
29. Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения
    
    Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  51–54
30. Увеличение коэффициента полезного действия фотопреобразователей лазерного излучения диапазона 520–540 nm на основе гетероструктур GaInP/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 47:6 (2021),  29–31
31. Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As и фотоэлектрических преобразователей на их основе
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1079–1087
32. Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей
    
    Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  400–407
33. Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950–1100 nm на основе In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки
    
    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  11–14
34. Электрические контакты к структурам на основе InP с подконтактным слоем к $p$-InP, легированным Zn
    
    Письма в ЖТФ, 46:23 (2020),  13–14
35. Влияние числа рядов GaInAs-квантовых объектов на ток насыщения GaAs-фотопреобразователей
    
    Письма в ЖТФ, 46:12 (2020),  30–33
36. Рекомбинация в GaAs $p$-$i$-$n$-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1126–1130
37. In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  729–735
38. Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  94–100
39. Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  525–530
40. Определение технологических параметров роста в системе InAs–GaAs для синтеза “многомодальных” квантовых точек InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1136–1143
41. Пространственно-контролируемый рост одиночных квантовых точек InP
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1120–1123
42. Разностный способ получения темновой вольт-амперной характеристики и ее виды для остаточной (негенерирующей) части многопереходного солнечного элемента
    
    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  671–676