Малевский Дмитрий Андреевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Контактные системы “мостикового” типа в InGaAs/InP фотоэлектрических преобразователях
   
   ЖТФ, 96:2 (2026),  345–350
2. Влияние типа подложки-носителя на резистивные и оптические свойства AlGaAs/GaInAs светоизлучающих инфракрасных диодов
   
   ЖТФ, 96:2 (2026),  330–335
3. Исследование температурной зависимости световых вольт-амперных характеристик кремниевых гетероструктурных солнечных элементов
   
   Письма в ЖТФ, 52:6 (2026),  27–30
4. Влияние резистивных параметров фотоэлектрических преобразователей на карты электролюминесценции и вольт-амперные характеристики
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  281–285
5. Влияние температуры облучения на скорость удаления носителей в GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  227–229
6. Экспериментально-аналитическое исследование проблемы компенсации механических напряжений в системе InGaAs множественных квантовых ям для излучателей ближнего инфракрасного диапазона
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  190–194
7. От сферы до полусферы: выбор вторичных концентраторных элементов для “micro-CPV”-модуля
   
   Письма в ЖТФ, 51:5 (2025),  20–24
8. Формирование световыводящей поверхности инфракрасных (850 nm) светоизлучающих диодов
   
   ЖТФ, 94:6 (2024),  888–893
9. Взаимосвязь конструкций и эффективности инфракрасных светоизлучающих диодов на основе квантово-размерных гетероструктур AlGaAs
   
   ЖТФ, 94:4 (2024),  632–637
10. Определение тока насыщения электролюминесценции светодиодов с набором квантовых ям
    
    Оптика и спектроскопия, 132:12 (2024),  1214–1218
11. Управление параметрами InGaAs квантовых ям в активной области светодиодов ближнего инфракрасного диапазона (850–960 nm)
    
    Оптика и спектроскопия, 132:11 (2024),  1146–1149
12. Трехпараметрическая трубковая модель растекания тока в солнечных элементах
    
    Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  573–576
13. Влияние протонного и электронного облучения на параметры нитрид-галлиевых диодов Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  49–52
14. Вторичная оптика для системы “micro-CPV”-модуля
    
    Письма в ЖТФ, 50:23 (2024),  82–84
15. Влияние свойств тыльного отражателя на характеристики инфракрасных светоизлучающих диодов на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктуры
    
    Письма в ЖТФ, 50:18 (2024),  22–26
16. Исследование деградации параметров субнаносекундного фотоэлектрического модуля при термоциклировании
    
    Письма в ЖТФ, 50:6 (2024),  44–46
17. Исследование концентраторных фотоэлектрических модулей с отражающими элементами вторичной оптики
    
    ЖТФ, 93:6 (2023),  809–816
18. Исследование технологии изготовления мощных ИК (850 nm) светодиодов, получаемых методом переноса AlGaAs–GaAs-гетероструктуры на подложку-носитель
    
    ЖТФ, 93:1 (2023),  170–174
19. Процессы долговременной релаксации в облученном протонами 4H-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  743–750
20. Влияние протонного облучения на свойства высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур
    
    Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  53–57
21. Методика контроля соотношения прямой и диффузной компонент солнечного излучения при измерении фотоэлектрических характеристик гибридного модуля
    
    Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  69–72
22. Гибридные солнечные модули: сравнение результатов лабораторных и натурных исследований
    
    Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  56–58
23. Гибридный концентраторно-планарный фотоэлектрический модуль с гетероструктурными солнечными элементами
    
    Письма в ЖТФ, 49:4 (2023),  15–19
24. Плазмохимическое травление в постростовой технологии фотоэлектрических преобразователей
    
    ЖТФ, 92:4 (2022),  604–607
25. Постростовые технологии каскадных фотоэлектрических преобразователей на основе A$^3$B$^5$-гетероструктур
    
    ЖТФ, 92:1 (2022),  108–112
26. Устойчивость к электронному облучению высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур
    
    Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  809–813
27. Отжиг высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки, облученных электронами при высокой температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 56:4 (2022),  441–445
28. Электрохимическое осаждение контактных материалов в постростовой технологии фотоэлектрических преобразователей
    
    Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  376–379
29. Фотоприемное устройство для преобразования энергии и информации, передаваемых по атмосферному лазерному каналу
    
    Письма в ЖТФ, 48:19 (2022),  3–7
30. К 125-летию со дня рождения лауреата Нобелевской премии академика Николая Николаевича Семенова. Высокоэффективные фотоэлектрические модули с концентраторами солнечного излучения
    
    ЖТФ, 91:6 (2021),  915–921
31. Измерение тепловых характеристик фотоэлектрических концентраторных модулей
    
    ЖТФ, 91:2 (2021),  291–298
32. Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями
    
    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1218–1222
33. Исследование методов текстурирования светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1086–1090
34. Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными квантовыми ямами InGaAs и “тыльным” отражателем
    
    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  699–703
35. Влияние внутренних отражателей на эффективность инфракрасных (850 нм) светодиодов
    
    Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  614–617
36. Динамика влажности воздуха в концентраторном фотоэлектрическом модуле с устройством осушения
    
    Письма в ЖТФ, 47:4 (2021),  52–54
37. Плазмохимическое и жидкостное травление в постростовой технологии каскадных солнечных элементов на основе гетероструктуры GaInP/GaInAs/Ge
    
    Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  14–17
38. Исследование методов пассивации и защиты каскадных солнечных элементов
    
    Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  35–37
39. Высокоэффективные фотоэлектрические модули с концентраторами солнечного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  24–26
40. Система контроля точности слежения за Солнцем концентраторных фотоэнергоустановок
    
    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  11–13
41. Теплоотводящие электроизолирующие платы для фотоэлектрических преобразователей концентрированного солнечного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 46:9 (2020),  29–31
42. Увеличение КПД концентраторных фотоэлектрических модулей при использовании фоконов в качестве вторичных оптических концентраторов
    
    Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  38–40
43. Высокоэффективное преобразование лазерного излучения высокой плотности
    
    Письма в ЖТФ, 45:2 (2019),  26–28
44. Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей
    
    ЖТФ, 88:8 (2018),  1211–1215
45. Влияние условий теплоотвода на характеристики концентраторных фотоэлектрических модулей
    
    Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  390–394
46. Тепловые характеристики высокоэффективных фотоэлектрических преобразователей мощного лазерного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 44:21 (2018),  105–110
47. Основные фотоэлектрические характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/InGaAs/Ge в широком диапазоне температур (-197 $\le T\le$ +85$^\circ$C)
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1374–1379
48. Измерительные комплексы для исследований солнечных фотоэлектрических преобразователей каскадного типа и концентраторных модулей на их основе
    
    ЖТФ, 85:6 (2015),  104–110
49. Концентраторные модули нового поколения на основе каскадных солнечных элементов: конструкция, оптические и температурные свойства
    
    ЖТФ, 84:11 (2014),  72–79
50. Исследование влияния вторичных линзовых концентраторов на выходные параметры солнечных модулей с фотоэлектрическими преобразователями каскадного типа
    
    ЖТФ, 80:7 (2010),  90–95