RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Малевская Александра Вячеславовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Контактные системы “мостикового” типа в InGaAs/InP фотоэлектрических преобразователях

    ЖТФ, 96:2 (2026),  345–350
  2. Влияние типа подложки-носителя на резистивные и оптические свойства AlGaAs/GaInAs светоизлучающих инфракрасных диодов

    ЖТФ, 96:2 (2026),  330–335
  3. Вариации электрического потенциала металлической наночастицы на диэлектрике

    Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  620–628
  4. Увеличение эффективности ввода оптической мощности в AlGaAs/GaAs фотоэлектрических преобразователях лазерного излучения

    Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  209–213
  5. Особенности тестирования микроразмерных фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения

    Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  205–208
  6. Экспериментально-аналитическое исследование проблемы компенсации механических напряжений в системе InGaAs множественных квантовых ям для излучателей ближнего инфракрасного диапазона

    Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  190–194
  7. Самокаталитический рост GaInP-наноструктур на кремнии из паровой фазы

    Письма в ЖТФ, 51:9 (2025),  45–49
  8. Микроразмерные GaSb фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения высокой плотности

    Письма в ЖТФ, 51:4 (2025),  50–53
  9. Формирование световыводящей поверхности инфракрасных (850 nm) светоизлучающих диодов

    ЖТФ, 94:6 (2024),  888–893
  10. Взаимосвязь конструкций и эффективности инфракрасных светоизлучающих диодов на основе квантово-размерных гетероструктур AlGaAs

    ЖТФ, 94:4 (2024),  632–637
  11. Управление параметрами InGaAs квантовых ям в активной области светодиодов ближнего инфракрасного диапазона (850–960 nm)

    Оптика и спектроскопия, 132:11 (2024),  1146–1149
  12. Электрохимическое осаждение контактных материалов к мощным фотоэлектрическим преобразователям на основе GaSb

    Письма в ЖТФ, 50:22 (2024),  7–10
  13. Мощный субнаносекундный модуль на основе $p$–$i$–$n$ AlGaAs/GaAs-фотодиодов

    Письма в ЖТФ, 50:19 (2024),  5–8
  14. Влияние свойств тыльного отражателя на характеристики инфракрасных светоизлучающих диодов на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктуры

    Письма в ЖТФ, 50:18 (2024),  22–26
  15. Субнаносекундные AlGaAs/GaAs-фотодетекторы с брэгговским отражателем

    Письма в ЖТФ, 50:17 (2024),  38–41
  16. Туннельные диоды $n^{++}$-GaAs:($\delta$-Si)/$p^{++}$-Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As:(C) для соединительных элементов многопереходных лазерных фотопреобразователей

    Письма в ЖТФ, 50:7 (2024),  39–42
  17. Контактные системы для фотоэлектрических преобразователей на основе InGaAsP/InP

    Письма в ЖТФ, 50:5 (2024),  28–31
  18. Исследование технологии изготовления мощных ИК (850 nm) светодиодов, получаемых методом переноса AlGaAs–GaAs-гетероструктуры на подложку-носитель

    ЖТФ, 93:1 (2023),  170–174
  19. Пространственно-селективная эпитаксия квантовых точек InP/GaInP$_2$ из металлоорганических соединений

    Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  620–623
  20. Высокоэффективные GaInP/GaAs-фотопреобразователи лазерной линии 600 nm

    Письма в ЖТФ, 49:6 (2023),  32–34
  21. Влияние режимов формирования контактной системы Pd/Ge/Au к $n$-GaAs на ее электрические характеристики

    Письма в ЖТФ, 49:3 (2023),  15–18
  22. Плазмохимическое травление в постростовой технологии фотоэлектрических преобразователей

    ЖТФ, 92:4 (2022),  604–607
  23. Постростовые технологии каскадных фотоэлектрических преобразователей на основе A$^3$B$^5$-гетероструктур

    ЖТФ, 92:1 (2022),  108–112
  24. Электрохимическое осаждение контактных материалов в постростовой технологии фотоэлектрических преобразователей

    Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  376–379
  25. Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями

    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1218–1222
  26. Исследование методов текстурирования светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1086–1090
  27. Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными квантовыми ямами InGaAs и “тыльным” отражателем

    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  699–703
  28. Влияние внутренних отражателей на эффективность инфракрасных (850 нм) светодиодов

    Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  614–617
  29. Динамика влажности воздуха в концентраторном фотоэлектрическом модуле с устройством осушения

    Письма в ЖТФ, 47:4 (2021),  52–54
  30. Плазмохимическое и жидкостное травление в постростовой технологии каскадных солнечных элементов на основе гетероструктуры GaInP/GaInAs/Ge

    Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  14–17
  31. Исследование методов пассивации и защиты каскадных солнечных элементов

    Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  35–37
  32. Система контроля точности слежения за Солнцем концентраторных фотоэнергоустановок

    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  11–13
  33. Разработка методов жидкостного травления разделительной меза-структуры при создании каскадных солнечных элементов

    Письма в ЖТФ, 45:24 (2019),  14–16
  34. Исследование формирования антиотражающего покрытия каскадных солнечных элементов

    Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  15–17
  35. Исследование омических контактов мощных фотоэлектрических преобразователей

    Письма в ЖТФ, 45:1 (2019),  12–15
  36. Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей

    ЖТФ, 88:8 (2018),  1211–1215
  37. Влияние постростовых технологий на характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/Ga(In)As/Ge

    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1249–1253
  38. Термофотоэлектрические генераторы на основе антимонида галлия

    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  270–277

© МИАН, 2026