Иванов Эдуард Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Светодиоды на основе твердых растворов GaInAsSb для спектрального диапазона 2.5–2.8 $\mu$m
   
   Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  34–37
2. Поглощение микроволнового излучения и осцилляции магнитосопротивления в композитных квантовых ямах InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром в квантующем магнитном поле (Обзор)
   
   Физика твердого тела, 66:3 (2024),  323–333
3. Излучательная рекомбинация в разъединенном гетеропереходе II типа InAs/InSb с квантовыми точками на интерфейсе
   
   Физика твердого тела, 65:4 (2023),  645–651
4. Монополярное умножение горячих носителей заряда в полупроводниках A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ в сильном электрическом поле и бесшумные лавинные фотодиоды (Обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  995–1010
5. Неохлаждаемые фотодиоды для регистрации импульсного инфракрасного излучения в спектральном диапазоне 0.9–1.8 мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  607–613
6. Формирование гетероперехода II типа в полупроводниковой структуре InAsSb/InAsSbP
   
   Физика твердого тела, 62:11 (2020),  1822–1827
7. Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (Обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1267–1288
8. Длинноволновые светодиоды в окне прозрачности атмосферы 4.6 – 5.3 мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  202–206
9. Узкозонные гетероструктуры InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/InAsSbP ($y$ = 0.09–0.16) для спектрального диапазона 4–6 $\mu$m, полученные методом МОГФЭ
   
   Физика твердого тела, 61:10 (2019),  1746–1753
10. Светодиоды на основе асимметричной двойной гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования CO$_{2}$ ($\lambda$ = 4.3 мкм) и CO ($\lambda$ = 4.7 мкм)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  832–838
11. Электролюминесценция в гетероструктурах $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой, выращенных методом МОГФЭ
    
    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  50–54
12. Перестройка спектров электролюминесценции в гетероструктурах II типа $n$-InAs/$n$-InAsSbP
    
    Физика твердого тела, 60:3 (2018),  585–590
13. Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1094–1099
14. Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой
    
    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  906–911
15. Измеритель содержания воды в нефти и нефтепродуктах на основе инфракрасных оптоэлектронных пар светодиод–фотодиод
    
    ЖТФ, 87:2 (2017),  315–318
16. Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами
    
    Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  794–800
17. Высокотемпературная интерфейсная электролюминесценция в разъединенных гетероструктурах II рода на основе квантовых штрихов InSb в матрице $n$-InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014),  938–943
18. Особенности электролюминесценции в гетероструктурах с квантовыми точками InSb в матрице InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1536–1541
19. Фотоэлектрические и люминесцентные свойства наногетероструктур на основе GaSb с глубокой квантовой ямой Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1037–1042
20. Двухцветная люминесценция в одиночной гетероструктуре II типа InAsSbP/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  30–35
21. Увеличение мощности излучения светодиодов ($\lambda$ = 1.7–2.4 $\mu$m) за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb
    
    Письма в ЖТФ, 39:4 (2013),  39–45
22. Интерфейсная электролюминесценция в изотипном гетеропереходе II типа InAs/InAsSbP при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1386–1391
23. Фотовольтаический детектор на основе гетероструктуры II типа с глубокой квантовой ямой AlSb/InAsSb/AlSb в активной области для среднего инфракрасного диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  251–255
24. Электролюминесценция в гетероструктурах II типа $p$-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/$p(n)$-GaSb с глубокими квантовыми ямами на гетерогранице
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  69–74


25. Enhancement of photoconductivity by carrier screening effect in $n$-GaSb/$n$-InAs/$p$-GaSb heterostructure with single deep quantum well
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  476