Коновалов Г Г

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фотоприемники на основе гетероструктур GaInAsSb/GaAlAsSb для практических задач прецизионной диодной лазерной спектроскопии
   
   Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  508–515
2. Неохлаждаемые фотодиоды для регистрации импульсного инфракрасного излучения в спектральном диапазоне 0.9–1.8 мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  607–613
3. Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1094–1099
4. Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой
   
   Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  906–911
5. Повышение спектральной чувствительности фотодиодов для средней инфракрасной области спектра
   
   Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1420–1424
6. Фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InAs/InAsSbP с диаметрами фоточувствительной площадки 0.1–2.0 мм
   
   Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1720–1726
7. Быстродействующие фотодиоды для средней инфракрасной области спектра 1.2–2.4 мкм на основе гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb с полосой пропускания 2–5 ГГц
   
   Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1109–1115
8. Фотоэлектрические и люминесцентные свойства наногетероструктур на основе GaSb с глубокой квантовой ямой Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
   
   Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1037–1042
9. Повышение квантовой чувствительности фотодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP
   
   Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  690–695
10. Повышение квантовой эффективности фотодиодов за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре InAs/InAsSb/InAsSbP
    
    Письма в ЖТФ, 38:10 (2012),  43–49
11. Фотовольтаический детектор на основе гетероструктуры II типа с глубокой квантовой ямой AlSb/InAsSb/AlSb в активной области для среднего инфракрасного диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  251–255
12. Фотодиоды с расширенным спектральным диапазоном 1.5–4.8 $\mu$m на основе гетероструктур InAs/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP, работающие при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 37:19 (2011),  95–103
13. Фотодиоды на основе гетероструктур InAs/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP для спектрального диапазона 2.5–4.9 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 37:1 (2011),  11–17
14. Быстродействующие $p$–$i$–$n$-фотодиоды для спектрального диапазона 0.9–2.4 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 36:9 (2010),  43–49


15. Enhancement of photoconductivity by carrier screening effect in $n$-GaSb/$n$-InAs/$p$-GaSb heterostructure with single deep quantum well
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  476