Пивоварова Антонина Александровна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Контактные системы “мостикового” типа в InGaAs/InP фотоэлектрических преобразователях
   
   ЖТФ, 96:2 (2026),  345–350
2. Мостиковые InAs/InAsSbP-фотодиоды: особенности технологии создания
   
   Физика и техника полупроводников, 59:8 (2025),  505–509
3. Микродисковые лазеры с вынесенной контактной площадкой мостиковой конструкции, сформированные жидкостным химическим травлением
   
   Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  37–42
4. Светодиоды на основе твердых растворов GaInAsSb для спектрального диапазона 2.5–2.8 $\mu$m
   
   Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  34–37
5. Лазерная генерация в дисковых микроструктурах InGaN/GaN/AlGaN на кремнии
   
   Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  41–45
6. Фотоприемники с длинноволновой границей 2.4 $\mu$m на основе метаморфных InGaAs/InP-гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 50:17 (2024),  15–18
7. Разработка способа травления фотодиодных InAs/InAsSbP-гетероструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  710–715
8. Геттерирование эпитаксиального арсенида индия редкоземельным элементом гольмием
   
   Физика и техника полупроводников, 57:2 (2023),  89–94
9. Фотоприемники на основе гетероструктур GaInAsSb/GaAlAsSb для практических задач прецизионной диодной лазерной спектроскопии
   
   Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  508–515
10. Спектральные и электрические свойства светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  682–687
11. Неохлаждаемые фотодиоды для регистрации импульсного инфракрасного излучения в спектральном диапазоне 0.9–1.8 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  607–613
12. Фотодиоды для регистрации излучения квантово-размерных дисковых лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.2–2.3 мкм)
    
    Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020),  677–683
13. Длинноволновые светодиоды в окне прозрачности атмосферы 4.6 – 5.3 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  202–206
14. Влияние водорода на электрические свойства структур Pd/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1427–1430
15. Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1094–1099
16. Коллективные моды в сдвоенных полупроводниковых дисковых лазерах на модах шепчущей галереи
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1273–1277
17. Фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InAs/InAsSbP с диаметрами фоточувствительной площадки 0.1–2.0 мм
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1720–1726