Куницына Екатерина Вадимовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Мостиковые InAs/InAsSbP-фотодиоды: особенности технологии создания
   
   Физика и техника полупроводников, 59:8 (2025),  505–509
2. Светодиоды на основе твердых растворов GaInAsSb для спектрального диапазона 2.5–2.8 $\mu$m
   
   Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  34–37
3. Проводимость наноконтакта к A$^{\mathrm{III}}$As- и A$^{\mathrm{III}}$Sb-полупроводникам со слоем естественного оксида
   
   Письма в ЖТФ, 50:11 (2024),  42–46
4. Разработка способа травления фотодиодных InAs/InAsSbP-гетероструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  710–715
5. Геттерирование эпитаксиального арсенида индия редкоземельным элементом гольмием
   
   Физика и техника полупроводников, 57:2 (2023),  89–94
6. Фотоприемники на основе гетероструктур GaInAsSb/GaAlAsSb для практических задач прецизионной диодной лазерной спектроскопии
   
   Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  508–515
7. Монополярное умножение горячих носителей заряда в полупроводниках A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ в сильном электрическом поле и бесшумные лавинные фотодиоды (Обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  995–1010
8. Неохлаждаемые фотодиоды для регистрации импульсного инфракрасного излучения в спектральном диапазоне 0.9–1.8 мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  607–613
9. Фотодиоды для регистрации излучения квантово-размерных дисковых лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.2–2.3 мкм)
   
   Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020),  677–683
10. Электролюминесценция в гетероструктурах $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой, выращенных методом МОГФЭ
    
    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  50–54
11. Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1094–1099
12. Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой
    
    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  906–911
13. Измеритель содержания воды в нефти и нефтепродуктах на основе инфракрасных оптоэлектронных пар светодиод–фотодиод
    
    ЖТФ, 87:2 (2017),  315–318
14. Повышение спектральной чувствительности фотодиодов для средней инфракрасной области спектра
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1420–1424
15. Фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InAs/InAsSbP с диаметрами фоточувствительной площадки 0.1–2.0 мм
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1720–1726
16. Оптоэлектронные пары светодиод-фотодиод на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования углекислого газа
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  1003–1006
17. Быстродействующие фотодиоды для средней инфракрасной области спектра 1.2–2.4 мкм на основе гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb с полосой пропускания 2–5 ГГц
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1109–1115
18. Пассивация фотодиодов для инфракрасной области спектра спиртовым сульфидным раствором
    
    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  535–539
19. Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  699–705
20. Быстродействующие $p$–$i$–$n$-фотодиоды для спектрального диапазона 0.9–2.4 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 36:9 (2010),  43–49