Митрофанов Максим Игоревич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Одночастотные квантово-каскадные лазеры с переменной глубиной травления штрихов дифракционной решетки
   
   Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  23–28
2. Одночастотная генерация на радиальных модах в квантово-каскадных лазерах на основе селективного кольцевого резонатора
   
   Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  52–56
3. Исследование с помощью микро-рамановской спектроскопии радиационных дефектов, сформированных сфокусированным ионным пучком Ga$^+$ в структуре GaAs/Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As
   
   Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  552–555
4. Strong coupling of exciton in organic material and plasmonic WGM localized on the surface of silver nanoparticles
   
   Письма в ЖЭТФ, 118:1 (2023),  14–15
5. Enhancement of the basal-plane stacking fault emission in GaN planar nanowire microcavity
   
   Письма в ЖЭТФ, 115:10 (2022),  611–612
6. О влиянии травления сфокусированным пучком ионов Ga$^+$ в диапазоне энергий 12–30 кэВ на люминесцентные свойства гетероструктуры Al$_{0.18}$Ga$_{0.82}$As/GaAs/Al$_{0.18}$Ga$_{0.82}$As
   
   Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1120–1124
7. Поверхностно-излучающие квантово-каскадные лазеры с дифракционной решеткой, сформированной методом прямой ионной литографии
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  908–914
8. Исследование пространственных характеристик излучения поверхностно-излучающих квантово-каскадных лазеров с кольцевым резонатором
   
   Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  601–606
9. Субволновые текстурированные поверхности для вывода излучения из волновода
   
   Письма в ЖТФ, 48:6 (2022),  51–54
10. Квантово-каскадный лазер с выводом излучения через текстурированный слой
    
    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1081–1085
11. Поверхностно-излучающий квантово-каскадный лазер с кольцевым резонатором
    
    Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  602–606
12. Модификация гребневых волноводов полупроводниковых лазеров фокусированным ионным пучком
    
    Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  51–54
13. Calculation of the Ga+ FIB ion dose distribution by SEM image
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1390
14. Сильная связь экситонов в микрорезонаторах GaN гексагональной формы
    
    Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  85–88
15. Квантово-каскадные лазеры с распределенным брэгговским отражателем, сформированным методом ионно-лучевого травления
    
    Письма в ЖТФ, 46:7 (2020),  8–11
16. GaN selective epitaxy in sub-micron windows with different depths formed by ion beam nanolithography
    
    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2333
17. Изменение люминесцентных характеристик полупроводниковых гетероструктур при ионно-лучевом травлении
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1579–1583
18. Селективный эпитаксиальный рост III–N-структур с использованием ионной нанолитографии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1237–1243
19. Концентрические гексагональные структуры GaN для нанофотоники, изготовленные селективной газофазной эпитаксией с использованием ионного травления
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  816–818