Колодезный Евгений Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Одночастотные квантово-каскадные лазеры с переменной глубиной травления штрихов дифракционной решетки
   
   Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  23–28
2. Одночастотная генерация на радиальных модах в квантово-каскадных лазерах на основе селективного кольцевого резонатора
   
   Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  52–56
3. Влияние химического состава окружающих слоев на оптические свойства квантовых точек InGaP(As)
   
   Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  529–532
4. Квантово-каскадные лазеры на основе активной области с малой чувствительностью к флуктуации толщины слоев
   
   Письма в ЖТФ, 50:16 (2024),  18–21
5. Ширина линии излучения одномодовых вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, реализованных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии и технологии спекания пластин
   
   Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1486–1489
6. Влияние пассивации поверхности цилиндрических мезаструктур на основе GaAs на их оптические свойства
   
   Оптика и спектроскопия, 131:8 (2023),  1112–1117
7. Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор вертикально излучающих лазеров на основе квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1.55 $\mu$m
   
   Оптика и спектроскопия, 131:8 (2023),  1095–1100
8. Исследование $p$–$i$–$n$-фотодетектора с поглощающей средой на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек
   
   Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  202–206
9. Поверхностно-излучающие квантово-каскадные лазеры с дифракционной решеткой, сформированной методом прямой ионной литографии
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  908–914
10. Исследование пространственных характеристик излучения поверхностно-излучающих квантово-каскадных лазеров с кольцевым резонатором
    
    Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  601–606
11. Гетероструктура квантово-каскадного детектора частотного диапазона 2.5 ТГц
    
    Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  357–362
12. Особенности одночастотной генерации в квантово-каскадных лазерах спектрального диапазона 7.5–8.0 $\mu$m с малой длиной резонатора
    
    Письма в ЖТФ, 48:5 (2022),  7–10
13. Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
    
    Оптика и спектроскопия, 129:2 (2021),  218–222
14. Квантово-каскадный лазер с выводом излучения через текстурированный слой
    
    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1081–1085
15. Поверхностно-излучающий квантово-каскадный лазер с кольцевым резонатором
    
    Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  602–606
16. Конструкция источника одиночных фотонов спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с инжекционной накачкой на основе вертикального микрорезонатора с внутрирезонаторными контактами
    
    Письма в ЖТФ, 47:5 (2021),  23–27
17. Исследование оптических и структурных свойств трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
    
    ЖТФ, 90:12 (2020),  2139–2142
18. Спектральные характеристики полукольцевых квантово-каскадных лазеров
    
    Оптика и спектроскопия, 128:8 (2020),  1165–1170
19. Влияние параметров короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs на эффективность фотолюминесценции
    
    Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  27–30
20. Оптическое усиление в лазерных гетероструктурах с активной областью на основе короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs
    
    Оптика и спектроскопия, 127:6 (2019),  963–966
21. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, сформированного методом спекания пластин
    
    Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019),  145–149
22. Влияние потерь на вывод излучения на динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания эпитаксиальных пластин
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1128–1134
23. Спонтанное и стимулированное излучение двухчастотного квантово-каскадного лазера
    
    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  365–369
24. Спектральный сдвиг излучения квантово-каскадного лазера под действием управляющего напряжения
    
    Письма в ЖТФ, 45:22 (2019),  21–23
25. Мощные квантово-каскадные лазеры с длиной волны генерации 8 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  48–51
26. Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе бесфосфорных гетероструктур
    
    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  20–23
27. Одночастотная генерация арочных квантово-каскадных лазеров при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 45:8 (2019),  31–33
28. Оптическое усиление гетероструктур с множественными квантовыми ямами в диапазоне длин волн 1550 nm и предельные частоты модуляции вертикально-излучающих лазеров на их основе
    
    Оптика и спектроскопия, 125:2 (2018),  229–233
29. Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1034–1037
30. Лазерная генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 8 мкм при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  954–957
31. Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  597–602
32. Синхронизация мод в лазерах спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе “тонких” квантовых ям
    
    Письма в ЖТФ, 44:4 (2018),  95–102
33. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 7–8 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 43:14 (2017),  64–71
34. Усилительные свойства “тонких” упруго напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1429–1433