Мынбаева Марина Гелиевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Применение композитных подложек 6H-SiC/3C-SiC(001) для выращивания кубического политипа карбида кремния методом сублимации
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  294–297
2. Особенности кристаллизации промежуточного слоя кремния в процессе переноса тонкого слоя 3C-SiC(001) на 6H-SiC(0001)-подложку
   
   Письма в ЖТФ, 51:4 (2025),  11–14
3. Взаимодействие карбида кремния с расплавом кремния, образующимся в условиях прямого сращивания эпитаксиальных структур 3C-SiC/Si с пластинами 6H-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  501–504
4. Сравнительные исследования свойств толстых слоев GaN с различным типом кристаллической структуры, выращенных на керамической подложке
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2125–2127
5. Моделирование распределения температуры в зоне сублимационного роста графена на SiC подложке
   
   ЖТФ, 92:12 (2022),  1776–1780
6. Создание темплейтов для гомоэпитаксиального роста 3C-SiC методом прямого сращивания пластин карбида кремния различающихся политипов
   
   Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1094–1098
7. Оптические свойства квазиобъемных кристаллов нитрида галлия со структурой высокоориентированной текстуры
   
   Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  554–558
8. Транспортные свойства пленок графена, выращенных методом термодеструкции поверхности SiC (0001) в среде аргона
   
   Письма в ЖТФ, 43:18 (2017),  64–72
9. Формирование структур графит/SiC методом термического разложения карбида кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  138–142
10. Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе $n$-GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1386–1388
11. Пластины кристаллического GaN большой площади
    
    Письма в ЖТФ, 41:5 (2015),  84–90
12. Особенности хлорид-гидридной эпитаксии нитридных материалов на подложке кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1573–1577
13. Эффект самоструктурирования пластин монокристаллического кремния в условиях индукционного нагрева в вакууме
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  364–368
14. Анализ дефектов упаковки в нитриде галлия с использованием преобразования Фурье высокоразрешающих изображений
    
    Письма в ЖТФ, 40:24 (2014),  60–68
15. Анализ спектров фотопроводимости при большой инерционности фотоответа
    
    ЖТФ, 82:9 (2012),  119–122
16. Коллективные эффекты в системе структурных дефектов нитрида галлия в условиях гомоэпитаксии на пористой подложке
    
    Письма в ЖТФ, 38:9 (2012),  31–36
17. Диффузия в пористом карбиде кремния
    
    Физика твердого тела, 53:5 (2011),  885–891
18. Фотоэлектрические свойства пористых гетероструктур GaN/SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1369–1372
19. Получение затравочных кристаллов улучшенного качества для роста объемного карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  847–851
20. Низкотемпературные транспортные свойства пленок мультиграфена, сформированных сублимацией на поверхности SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  634–638
21. Электрические характеристики пленок мультиграфена на подложках высокоомного карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1436–1438
22. Новый подход к экспресс-характеризации монокристаллического карбида кремния
    
    Письма в ЖТФ, 36:2 (2010),  70–76