Соболев Николай Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фотолюминесценция, связанная с дислокациями в кремнии, пластически деформированном при изгибе центральной симметрии
   
   Физика твердого тела, 67:5 (2025),  810–816
2. Люминесцентные центры в кремнии, облученном фемтосекундным лазером
   
   ЖТФ, 95:6 (2025),  1164–1169
3. Комплексы собственных точечных дефектов в кремнии, сформированные в результате ионной имплантации ксенона высоких энергий и постимплантационных отжигов
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  298–301
4. Температурная зависимость дислокационной электролюминесценции в кремниевых светодиодах с кислородными преципитатами
   
   Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  289–294
5. Кремниевые светодиоды с дислокационной люминесценцией, сформированные с участием кислородных преципитатов
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  904–907
6. Эффективность возбуждения центров дислокационной люминесценции в кремнии с кислородными преципитатами
   
   Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  542–545
7. Влияние дополнительной имплантации ионов кислорода на дислокационную люминесценцию кремния, содержащего кислородные преципитаты
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  928–931
8. Влияние деформации сжатия и растяжения на спектр дислокационной люминесценции в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  550–553
9. Кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов
   
   Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  580–584
10. Образование дефектов в структурах GaAs с непокрытой и покрытой пленкой AlN поверхностями при имплантации ионов азота и последующем отжиге
    
    Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  437–440
11. Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами германия
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  165–168
12. Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  161–164
13. Дефектная структура слоев GaAs, имплантированных ионами азота
    
    Письма в ЖТФ, 44:18 (2018),  24–30
14. Влияние дозы имплантации ионов азота на концентрацию точечных дефектов, введенных в слои GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  44–50
15. Влияние температуры измерения на люминесцентные свойства (113) дефектов в кремнии, имплантированном ионами кислорода
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1182–1184
16. Инжекционная терагерцовая электролюминесценция кремниевых $p$–$n$-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  632–636
17. Формирование гексагональной фазы кремния 9$R$ при ионной имплантации
    
    Письма в ЖТФ, 43:16 (2017),  87–92
18. Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами фтора
    
    Письма в ЖТФ, 43:1 (2017),  14–20
19. Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода
    
    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2411–2414
20. Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе $p$-Si, облученного электронами
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  254–258
21. Влияние условий изготовления светодиодов на основе SiGe на их люминесцентные и электрофизические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  250–253
22. Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  241–244
23. Температурные зависимости интенсивностей фотолюминесценции центров в кремнии, имплантированном ионами эрбия и кислорода
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1700–1703
24. Образование донорных центров при отжиге кремниевых светоизлучающих структур, имплантированных ионами кислорода
    
    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  418–420
25. Исследование фотоответа кремниевого мультипиксельного счетчика фотонов в вакуумном ультрафиолете
    
    Письма в ЖТФ, 40:8 (2014),  23–29
26. Влияние температуры отжига на низкотемпературную фотолюминесценцию в светоизлучающих структурах Si:Er, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1344–1346
27. Электрически активные центры, образующиеся в кремнии в процессе высокотемпературной диффузии бора и алюминия
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  255–257
28. Электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами кислорода
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  251–254
29. Radiation effects in Si–Ge quantum size structures (review)
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  182–191
30. Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами кремния с аморфизующими дозами
    
    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1182–1187
31. Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами эрбия при повышенной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1038–1040
32. Исследование безызлучательной рекомбинации в кремниевых светодиодах с краевой люминесценцией методом наведенного тока (EBIC)
    
    Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010),  1280–1283
33. Инженерия дефектов в имплантационной технологии кремниевых светоизлучающих структур с дислокационной люминесценцией. Обзор
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  3–25