Казарова Ольга Петровна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Высокотемпературная диффузия бериллия в AlN как направление решения проблемы легирования $p$-типа и снижения интенсивности оптического поглощения
   
   Физика твердого тела, 67:6 (2025),  940–945
2. Изотопически модифицированный карбид кремния: полупроводниковая платформа для квантовых технологий
   
   Физика твердого тела, 67:1 (2025),  114–120
3. Температурная стабильность спиновых дефектов в $6H$-SiC на основе данных фотолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса
   
   Письма в ЖЭТФ, 122:2 (2025),  116–122
4. Создание NV$^-$-дефектов в карбиде кремния 6$H$–SiC облучением электронами высоких энергий
   
   Физика твердого тела, 66:4 (2024),  537–541
5. Оптическая спиновая инициализация азот-вакансионных центров в изотопно-обогащенном ($^{28}$Si) кристалле 6H-SiC для квантовых технологий
   
   Письма в ЖЭТФ, 119:8 (2024),  587–592
6. Отрицательно заряженные азотно-вакансионные центры в кристалле карбида кремния $6H$-$^{28}\mathrm{SiC}$
   
   Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  485–488
7. Влияние условий фотовозбуждения на спиновую поляризацию азот-вакансионных центров в изотопно-обогащенном карбиде кремния $6$H-$^{28}$SiC
   
   Учен. зап. Казан. ун-та. Сер. Физ.-матем. науки, 166:2 (2024),  187–199
8. Оптические и спиновые свойства вакансионных кремниевых центров, созданных облучением протонами в гетероструктуре карбида кремния $6H/15R$
   
   Физика твердого тела, 65:6 (2023),  1031–1036
9. The effect of liquid Silicon on the AlN crystal growth
   
   Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  527
10. Высокотемпературная диффузия акцепторной примеси Ве в AlN
    
    Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  275–278
11. Возникновение зеленой окраски в кристаллах AlN, выращенных на затравках SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  513–517
12. Влияние акцепторной примеси бериллия на оптические свойства монокристаллического AlN
    
    Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  224–227
13. Выращивание объёмных кристаллов AlN и GaN сублимационным сандвич-методом
    
    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2298–2302
14. Комбинационное рассеяние света в кристаллах AlN, выращенных методом сублимации на затравках SiC и AlN
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1593–1596
15. Влияние нейтронного облучения на травление SiC в расплаве КОН
    
    ЖТФ, 87:7 (2017),  1104–1106
16. Предотвращение растрескивания кристаллов AIN на подложках SiC путем испарения подложек
    
    Физика твердого тела, 57:12 (2015),  2400–2404