Стоянов Николай Деев

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Спектральные и электрические свойства светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  682–687
2. Исследование вольт-амперных характеристик светодиодных гетероструктур на основе InAsSb в диапазоне температур 4.2–300 K
   
   Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  502–506
3. Экспериментальное исследование и моделирование спектральных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью из InAs
   
   Письма в ЖТФ, 46:3 (2020),  51–54
4. Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2–300 K
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  247–252
5. Высокотемпературная люминесценция в светодиодной гетероструктуре $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb с высоким потенциальным барьером
   
   Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1270–1275
6. Суперлинейная электролюминесценция в гетероструктурах на основе GaSb с высокими потенциальными барьерами
   
   Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  75–82
7. Электрические и электролюминесцентные свойста светодиодов $\lambda$ = 3.85–3.95 $\mu$m на основе InAsSb в интервале температур 20–200$^\circ$C
   
   ЖТФ, 82:1 (2012),  73–76
8. Электролюминесцентные характеристики светодиодов среднего ИК-диапазона на основе гетероструктур InGaAsSb/GaAlAsSb при высоких рабочих температурах
   
   ЖТФ, 81:4 (2011),  91–96
9. Влияние температуры на электролюминесцентные свойства flip-chip светодиодов среднего ИК-диапазона ($\lambda_{\mathrm{max}}\approx$ 3.4 мкм) на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP
   
   Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1560–1563
10. Портативный оптический анализатор содержания воды в нефти на основе оптопары “светодиодная матрица–широкополосный фотодиод” среднего ИК диапазона (1.6–2.4 $\mu$m)
    
    ЖТФ, 80:2 (2010),  99–104
11. Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана ($\lambda\approx$ 3.3 мкм)
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  278–284