Кижаев Сергей Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фотоприемники с длинноволновой границей 2.4 $\mu$m на основе метаморфных InGaAs/InP-гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 50:17 (2024),  15–18
2. Спектральные и электрические свойства светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  682–687
3. Исследование вольт-амперных характеристик светодиодных гетероструктур на основе InAsSb в диапазоне температур 4.2–300 K
   
   Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  502–506
4. Экспериментальное исследование и моделирование спектральных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью из InAs
   
   Письма в ЖТФ, 46:3 (2020),  51–54
5. Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2–300 K
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  247–252
6. Электрические и электролюминесцентные свойста светодиодов $\lambda$ = 3.85–3.95 $\mu$m на основе InAsSb в интервале температур 20–200$^\circ$C
   
   ЖТФ, 82:1 (2012),  73–76
7. Исследование эффективности вывода излучения из меза-светодиодов на основе узкозонной активной области InAsSb
   
   Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  247–251
8. Влияние температуры на электролюминесцентные свойства flip-chip светодиодов среднего ИК-диапазона ($\lambda_{\mathrm{max}}\approx$ 3.4 мкм) на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP
   
   Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1560–1563
9. Светодиоды на основе гетероструктур InAsSbP/InAsSb ($\lambda$ = 4.7 $\mu$m) для детектирования угарного газа
   
   Письма в ЖТФ, 37:11 (2011),  15–19
10. Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана ($\lambda\approx$ 3.3 мкм)
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  278–284
11. Перестройка чaстоты генерации лазера работающего на модах шепчущей галереи на основе InAsSb/InAsSbP-гетероструктуры, обусловленная нелинейными оптическими эффектами
    
    Письма в ЖТФ, 36:8 (2010),  7–13
12. Светодиоды с конусной световыводящей поверхностью, излучающие на длине волны 3.6 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 36:3 (2010),  104–110
13. Светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb для спектроскопии CO$_2$ ($\lambda$ = 4.3 $\mu$m)
    
    Письма в ЖТФ, 36:1 (2010),  105–110