|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Одиночный нитевидный кристалл теллура как элемент сенсора NO$_2$: структура и экспресс-демонстрация чувствительности
Письма в ЖТФ, 52:2 (2026), 8–11
-
Катодолюминесцентные свойства керамики $\beta$-Ga$_2$O$_3$, полученной газотермическим плазменным синтезом
Письма в ЖТФ, 51:6 (2025), 42–45
-
Синтез эпитаксиальных пленок ZnO при комнатной температуре с высокими скоростями роста методом магнетронного распыления на постоянном токе
Письма в ЖТФ, 50:18 (2024), 11–14
-
Особенности интерференционных явлений в пленках ZnO, полученных методом магнетронного осаждения
Письма в ЖТФ, 50:1 (2024), 14–18
-
Зеленовато-белое излучение микростенок ZnO, полученных методом магнетронного распыления горячей мишени
Письма в ЖТФ, 49:22 (2023), 3–7
-
Влияние состояния рабочей поверхности гальванического датчика импульсного рентгеновского излучения на его быстродействие
Письма в ЖТФ, 49:9 (2023), 21–25
-
Рентгенолюминесцентные свойства пленок оксида цинка на M- и A-плоскостях сапфира
Оптика и спектроскопия, 130:11 (2022), 1723–1730
-
Температурная зависимость проводимости нитевидных кристаллов теллура
Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 493–498
-
Влияние состава низкотемпературной азотной плазмы на гидрофильные и гидрофобные свойства покрытий на основе азотированного оксида титана
Письма в ЖТФ, 47:19 (2021), 34–37
-
Катодолюминесценция пленок ZnO на ромбоэдрической плоскости сапфира с буферным слоем золота
Письма в ЖТФ, 46:24 (2020), 15–18
-
Формирование бикристаллических пленок ZnO на ромбоэдрической плоскости сапфира при высоких скоростях роста
Письма в ЖТФ, 46:11 (2020), 51–54
-
Рентгенолюминесценция толстых пленок оксида цинка
Оптика и спектроскопия, 127:6 (2019), 981–985
-
Влияние потока низкотемпературной плазмы азота на морфологию, электрические и УФ-проводящие свойства пленок ZnO на сапфире
Письма в ЖТФ, 45:22 (2019), 3–6
-
Синтез высокоориентированных пленок оксида цинка на аморфных подложках методом магнетронного распыления на постоянном токе
Письма в ЖТФ, 44:12 (2018), 52–61
-
Особенности вольт-фарадных характеристик МДП-структуры Cu–SiO$_{2}$–$p$-InSb
Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 383–385
-
Технология получения и оптическое поглощение пленок полупроводниковых растворов CuIn$_{0.95}$Ga$_{0.05}$Se$_{2}$
Письма в ЖТФ, 42:14 (2016), 1–6
-
Синтез эпитаксиальных пленок теллура методом термохимической активации
Письма в ЖТФ, 41:2 (2015), 64–69
© , 2026