RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Исамов Собиржон Болтаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Спектральная зависимость фотопроводимости варизонных структур типа Ge$_x$Si$_{1-x}$, полученных диффузионной технологией

    Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  495–497
  2. Влияние наличия достаточно высокой концентрации фосфора на концентрационное распределение галлия в кремнии

    Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  199–203
  3. Физические основы формирования гетероваризонной структуры на основе кремния

    ЖТФ, 91:11 (2021),  1678–1684
  4. Аномальные фотоэлектрические явления в кремнии с нанокластерами атомов марганца

    Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  489–492
  5. Стимулированная электрическим полем фотопроводимость в области 3–8 $\mu$m в кремнии с нанокластерами атомов марганца

    Письма в ЖТФ, 46:23 (2020),  37–40
  6. Кремний с магнитными нанокластерами атомов марганца – новый класс фотомагнитных материалов

    ЖТФ, 89:3 (2019),  421–425
  7. Изучение влияния легирования никелем кремниевых солнечных элементов с глубоким $p$$n$-переходом

    Письма в ЖТФ, 45:19 (2019),  3–6
  8. ИК фотоприемники, работающие при наличии фонового освещения

    ЖТФ, 86:3 (2016),  140–142
  9. Аномально большое время жизни дырок в кремнии c нанокластерами атомов марганца

    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1376–1378
  10. Отрицательное магнитосопротивление в кремнии с комплексами атомов марганца [Mn]$_4$

    Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010),  1181–1184


© МИАН, 2026