Грабко Геннадий Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности отклика электронной системы природного пирита на электрическое поле
   
   Письма в ЖТФ, 50:10 (2024),  26–28
2. Oсобенности в поведении удельного сопротивления природного пирита $n$-типа в области температур, предшествующих наступлению собственной проводимости
   
   Письма в ЖТФ, 49:12 (2023),  10–12
3. Поляризационные процессы в тонких слоях стеклообразной гибридной системы Ge$_{28.5}$Pb$_{14.0}$Fe$_{1.0}$S$_{56.5}$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  559–565
4. Температурные зависимости электрических характеристик природного пирита FеS$_2$ $p$-типа проводимости в интервале 295–635 K
   
   Письма в ЖТФ, 48:23 (2022),  26–29
5. Температурные зависимости коэффициента термоэдс, удельного сопротивления и теплопроводности электронного и дырочного пирита FeS$_{2}$ в интервале 293–400 K
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  826–831
6. Перенос заряда в тонких слоях стеклообразной гибридной системы Ge$_{28.5}$Pb$_{14.5}$Fe$_{0.5}$S$_{56.5}$
   
   Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  450–454
7. Низкочастотная диэлектрическая релаксация в стеклообразной системе Ge$_{28.5}$Рb$_{15}$S$_{56.5}$ с примесью железа
   
   Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1038–1040
8. Инфранизкочастотный фотодиэлектрический отклик аморфных слоев As$_2$Se$_3$
   
   Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  944–947
9. Исследование структуры аморфных слоев $a$-As$_2$Se$_3\langle$Bi$\rangle_x$ методом диэлектрической спектроскопии
   
   Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  92–96
10. Особенности фотодиэлектрического эффекта в слоях $\alpha$-As$_2$Se$_3$
    
    Письма в ЖТФ, 39:2 (2013),  1–6
11. Влияние легирующей добавки на диэлектрические свойства модифицированного As$_2$Se$_3$
    
    Физика твердого тела, 53:3 (2011),  430–432
12. Исследование структуры аморфной полупроводниковой системы As–Se релаксационными методами
    
    Физика и техника полупроводников, 45:12 (2011),  1646–1651
13. Исследование диэлектрических процессов в аморфных пленках (As$_2$Se$_3$)$_{1-x}$Bi$_x$
    
    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  622–624
14. Широкополосный диэлектрический отклик аморфных слоев As$_2$Se$_3$, приготовленных разными методами
    
    Письма в ЖТФ, 37:18 (2011),  1–6
15. Особенности механизма переноса заряда в структурах на основе тонких слоев триселенида мышьяка, модифицированных висмутом
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1038–1041
16. Температурная зависимость диэлектрических параметров тонких слоев As$_2$Se$_3$ с большим содержанием висмута
    
    Письма в ЖТФ, 36:20 (2010),  80–86
17. Дисперсия диэлектрических параметров в модифицированных слоях триселенида мышьяка
    
    Письма в ЖТФ, 36:17 (2010),  9–15