Новиков Алексей Витальевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Формирование планарных структур с InGaN-слоями для источников света красного диапазона длин волн
   
   Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  406–413
2. Методика получения Ge/Si(001) самоформирующихся нанопроволок для реализации на их основе дырочных спиновых кубитов
   
   Письма в ЖТФ, 51:22 (2025),  17–20
3. Высокодобротные состояния в спектрах излучения линейных периодических цепочек Si-нанодисков со встроенными GeSi-квантовыми точками
   
   Физика и техника полупроводников, 58:5 (2024),  238–241
4. Изотопно-обогащенные Si/SiGe эпитаксиальные структуры для квантовых вычислений
   
   Письма в ЖТФ, 50:10 (2024),  22–25
5. Планарные (латеральные) светоизлучающие диоды с Ge(Si)-наноостровками, встроенными в фотонный кристалл
   
   Письма в ЖТФ, 49:22 (2023),  12–15
6. Зависимость люминесцентных свойств упорядоченных групп Ge(Si) наноостровков от параметров ямок на структурированной поверхности подложки “кремний на изоляторе”
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1210–1215
7. Особенности структурных и оптических свойств InGaN-слоев, полученных методом МПЭ ПА с импульсной подачей потоков металлов
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  766–772
8. Генерация спиновых токов в $n$-Si, легированном фосфором, сурьмой и висмутом и влияние на них процессов рассеяния спинов с переворотом
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  654–658
9. Формирование и исследование оптических свойств локально растянутых Ge микроструктур, встроенных в резонаторы
   
   Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  420–426
10. Кинетика люминесцентного отклика самоформирующихся наноостровков Ge(Si), встроенных в двумерные фотонные кристаллы
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1150–1157
11. Рост интенсивности сигнала люминесценции самоформирующихся наноостровков Ge(Si) за счет взаимодействия их излучения с модами двумерных фотонных кристаллов
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  822–829
12. Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  708–715
13. Влияние условий роста и уровня легирования на кинетику люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020),  685–690
14. Излучательные свойства сильно легированных эпитаксиальных слоев нитрида индия
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1395–1400
15. Упорядоченные массивы квантовых точек Ge(Si), встроенные в двумерные фотонные кристаллы
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1366–1371
16. Локально деформированные структуры Ge/SOI с улучшенным теплоотводом как активная среда для кремниевой оптоэлектроники
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1360–1365
17. Сравнительный анализ люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на подложках Ge(001) и Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1354–1359
18. Влияние отжига на свойства слоев Ge : Sb/Si(001) с концентрацией сурьмы выше уровня ее равновесной растворимости в германии
    
    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  897–902
19. Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1443–1446
20. Стимулированное излучение в диапазоне 1.3–1.5 мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на кремниевых подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1384–1389
21. Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1331–1336
22. Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1028–1033
23. Стимулированное излучение на длине волны 1.3 $\mu$m в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)
    
    Письма в ЖТФ, 44:16 (2018),  67–74
24. Новое ограничение разрешения по глубине при послойном элементном анализе методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии: влияние зондирующего ионного пучка
    
    Письма в ЖТФ, 44:8 (2018),  11–19
25. Исследование сегрегации сурьмы при эпитаксиальном росте на подложках Si с различной кристаллографической ориентацией
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1611–1615
26. Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1599–1604
27. Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1594–1598
28. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1579–1582
29. Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1530–1533
30. Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  695–698
31. Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1685–1689
32. Влияние шероховатости поверхности на смену режима роста с двумерного на трехмерный в напряженных SiGe-гетероструктурах
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1657–1661
33. Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1629–1633
34. Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1532–1536
35. Электролюминесценция кремниевых МОП структур с массивами наноостровков Ge(Si)
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1497–1500
36. Особенности роста InN методом МПЭ с плазменной активацией азота при различных соотношениях потоков элементов III и V групп
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  264–268
37. Нелинейные калибровочные зависимости в методе вторично-ионной масс-спектрометрии для количественного анализа гетероструктур GeSi с нанокластерами
    
    Письма в ЖТФ, 42:5 (2016),  40–48
38. Применение техники годографа к диагностике диодных структур
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1492–1496
39. Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных слоев Ge/Si(001), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1463–1468
40. Спектры возбуждения и кинетика фотолюминесценции в структурах с самоформирующимися Ge(Si) наноостровками
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1458–1462
41. Сегрегация Sb в Ge эпитаксиальных слоях и ее использование для селективного легирования структур на основе германия
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1453–1457
42. Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках “напряженный кремний-на-изоляторе” с тонким слоем окисла
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1129–1135
43. Исследование пластической релаксации в слоях GeSi на подложках Si (001) и (115)
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  21–24
44. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge
    
    Письма в ЖТФ, 41:13 (2015),  72–78
45. Использование связанных параметров в рентгенодифракционном анализе многослойных структур с учетом времени роста слоев
    
    ЖТФ, 84:3 (2014),  94–98
46. Количественная калибровка и послойный анализ концентрации германия в гетероструктурах Ge$_x$Si$_{1-x}$/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии
    
    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1138–1146
47. Новый подход к диагностике наноостровков в гетероструктурах Ge$_x$Si$_{1-x}$/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии
    
    Письма в ЖТФ, 40:14 (2014),  36–46
48. Кинетика фотолюминесценции самоформирующихся Ge(Si) островков в многослойных структурах SiGe/Si и SiGe/SOI
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1509–1512
49. Сегрегация сурьмы в напряженных SiGe-гетероструктурах, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1493–1496
50. Переход от двумерного к трехмерному росту пленки Ge при ее осаждении на релаксированные SiGe/Si(001) буферные слои
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  404–409
51. Способ учета параметра сдвига при восстановлении распределения состава полупроводниковых структур по глубине в методе масс-спектрометрии вторичных ионов
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1515–1520
52. Оптический мониторинг технологических параметров в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1505–1509
53. Влияние толщины кремниевого разделительного слоя на электролюминесценцию многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1448–1452
54. Модификация высоты барьера в диодах Шоттки на кремнии при использовании сильно легированных 3D- и 2D-слоев
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1384–1387
55. Эффекты латерального упорядочения самоорганизованных наноостровков SiGe, выращенных на напряженных буферных слоях Si$_{1-x}$Ge$_x$
    
    Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012),  665–672
56. Метод спектроскопии возбуждения фотолюминесценции, модифицированный для исследования структур с самоформирующимися Ge(Si)/Si(001) наноостровками
    
    Письма в ЖТФ, 38:18 (2012),  7–15
57. Сравнительный анализ радиационного воздействия на электролюминесценцию кремния и SiGe/Si(001)-гетероструктур с самоформирующимися наноостровками
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  230–234
58. Ширина линии фотолюминесценции от самоформирующихся островков Ge(Si), заключенных между напряженными Si-слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  202–206
59. Метод селективного легирования кремния сегрегирующими примесями
    
    Письма в ЖТФ, 37:17 (2011),  75–81
60. Исследование перехода эпитаксиальной пленки Ge от послойного к трехмерному росту в гетероструктурах с напряженными подслоями SiGe
    
    Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  538–543
61. Использование кластерных вторичных ионов Ge$_2^-$, Ge$_3^-$ для повышения разрешения по глубине при послойном элементном анализе полупроводниковых гетероструктур GeSi/Si методом ВИМС
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  418–421
62. Влияние радиационного воздействия на люминесцентные свойства низкоразмерных гетероструктур SiGe/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  346–351