Морозова Елена Евгеньевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Лазерное излучение в мезаструктуре с квантовыми ямами на основе HgCdTe с периодической системой гребней
   
   Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  608–613
2. Оптические свойства лазерных мезаструктур с квантовыми ямами HgCdTe, сформированных методом ионного травления
   
   Письма в ЖТФ, 51:19 (2025),  7–10
3. Планарные (латеральные) светоизлучающие диоды с Ge(Si)-наноостровками, встроенными в фотонный кристалл
   
   Письма в ЖТФ, 49:22 (2023),  12–15
4. Фотолюминесценция растянутых Ge микромостиков при различных температурах: эксперимент и моделирование
   
   Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  954–960
5. Формирование и исследование оптических свойств локально растянутых Ge микроструктур, встроенных в резонаторы
   
   Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  420–426
6. Локально деформированные структуры Ge/SOI с улучшенным теплоотводом как активная среда для кремниевой оптоэлектроники
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1360–1365
7. Влияние отжига на свойства слоев Ge : Sb/Si(001) с концентрацией сурьмы выше уровня ее равновесной растворимости в германии
   
   Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  897–902
8. Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1331–1336
9. Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов
   
   Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1599–1604
10. Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1685–1689
11. Электролюминесценция кремниевых МОП структур с массивами наноостровков Ge(Si)
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1497–1500