Байдакова Наталия Алексеевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптоэлектронные свойства сильно легированных слоев Ge:Sb, полученных ионно-пучковыми методами
   
   Оптика и спектроскопия, 132:11 (2024),  1189–1195
2. Фотолюминесценция растянутых Ge микромостиков при различных температурах: эксперимент и моделирование
   
   Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  954–960
3. Формирование и исследование оптических свойств локально растянутых Ge микроструктур, встроенных в резонаторы
   
   Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  420–426
4. Кинетика люминесцентного отклика самоформирующихся наноостровков Ge(Si), встроенных в двумерные фотонные кристаллы
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1150–1157
5. Влияние условий роста и уровня легирования на кинетику люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020),  685–690
6. Локально деформированные структуры Ge/SOI с улучшенным теплоотводом как активная среда для кремниевой оптоэлектроники
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1360–1365
7. Сравнительный анализ люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на подложках Ge(001) и Si(001)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1354–1359
8. Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) $n$-типа проводимости
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1293–1296
9. Влияние отжига на свойства слоев Ge : Sb/Si(001) с концентрацией сурьмы выше уровня ее равновесной растворимости в германии
   
   Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  897–902
10. Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1331–1336
11. Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1599–1604
12. Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1685–1689
13. Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1610–1614
14. Спектры возбуждения и кинетика фотолюминесценции в структурах с самоформирующимися Ge(Si) наноостровками
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1458–1462
15. Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках “напряженный кремний-на-изоляторе” с тонким слоем окисла
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1129–1135
16. Кинетика фотолюминесценции самоформирующихся Ge(Si) островков в многослойных структурах SiGe/Si и SiGe/SOI
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1509–1512
17. Оптический мониторинг технологических параметров в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1505–1509
18. Метод спектроскопии возбуждения фотолюминесценции, модифицированный для исследования структур с самоформирующимися Ge(Si)/Si(001) наноостровками
    
    Письма в ЖТФ, 38:18 (2012),  7–15
19. Ширина линии фотолюминесценции от самоформирующихся островков Ge(Si), заключенных между напряженными Si-слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  202–206