Юрасов Дмитрий Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Формирование диэлектрических резонаторов на основе светоизлучающих Ge/Si-гетероструктур
   
   ЖТФ, 95:1 (2025),  128–135
2. Методика получения Ge/Si(001) самоформирующихся нанопроволок для реализации на их основе дырочных спиновых кубитов
   
   Письма в ЖТФ, 51:22 (2025),  17–20
3. Изотопно-обогащенные Si/SiGe эпитаксиальные структуры для квантовых вычислений
   
   Письма в ЖТФ, 50:10 (2024),  22–25
4. Влияние условий оптического возбуждения на спектральные и временны́е характеристики излучения двумерных фотонных кристаллов с Ge(Si)-наноостровками
   
   Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  251–258
5. Планарные (латеральные) светоизлучающие диоды с Ge(Si)-наноостровками, встроенными в фотонный кристалл
   
   Письма в ЖТФ, 49:22 (2023),  12–15
6. Люминесцентный отклик фотонных кристаллов со встроенными Ge наноостровками с различной глубиной травления отверстий
   
   Письма в ЖТФ, 49:10 (2023),  29–32
7. Фотолюминесценция растянутых Ge микромостиков при различных температурах: эксперимент и моделирование
   
   Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  954–960
8. Сравнение гетероструктур А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$, выращенных на платформах Ge/Si, Ge/SOI и GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  978–988
9. Генерация спиновых токов в $n$-Si, легированном фосфором, сурьмой и висмутом и влияние на них процессов рассеяния спинов с переворотом
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  654–658
10. Формирование и исследование оптических свойств локально растянутых Ge микроструктур, встроенных в резонаторы
    
    Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  420–426
11. Рост интенсивности сигнала люминесценции самоформирующихся наноостровков Ge(Si) за счет взаимодействия их излучения с модами двумерных фотонных кристаллов
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  822–829
12. Влияние условий роста и уровня легирования на кинетику люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020),  685–690
13. Локально деформированные структуры Ge/SOI с улучшенным теплоотводом как активная среда для кремниевой оптоэлектроники
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1360–1365
14. Сравнительный анализ люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на подложках Ge(001) и Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1354–1359
15. Влияние отжига на свойства слоев Ge : Sb/Si(001) с концентрацией сурьмы выше уровня ее равновесной растворимости в германии
    
    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  897–902
16. Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1443–1446
17. Стимулированное излучение в диапазоне 1.3–1.5 мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на кремниевых подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1384–1389
18. Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1331–1336
19. Стимулированное излучение на длине волны 1.3 $\mu$m в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)
    
    Письма в ЖТФ, 44:16 (2018),  67–74
20. Новое ограничение разрешения по глубине при послойном элементном анализе методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии: влияние зондирующего ионного пучка
    
    Письма в ЖТФ, 44:8 (2018),  11–19
21. Исследование сегрегации сурьмы при эпитаксиальном росте на подложках Si с различной кристаллографической ориентацией
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1611–1615
22. Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1599–1604
23. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1579–1582
24. Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1530–1533
25. Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  695–698
26. Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1685–1689
27. Влияние шероховатости поверхности на смену режима роста с двумерного на трехмерный в напряженных SiGe-гетероструктурах
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1657–1661
28. Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1629–1633
29. Нелинейные калибровочные зависимости в методе вторично-ионной масс-спектрометрии для количественного анализа гетероструктур GeSi с нанокластерами
    
    Письма в ЖТФ, 42:5 (2016),  40–48
30. Применение техники годографа к диагностике диодных структур
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1492–1496
31. Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных слоев Ge/Si(001), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1463–1468
32. Сегрегация Sb в Ge эпитаксиальных слоях и ее использование для селективного легирования структур на основе германия
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1453–1457
33. Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках “напряженный кремний-на-изоляторе” с тонким слоем окисла
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1129–1135
34. Исследование пластической релаксации в слоях GeSi на подложках Si (001) и (115)
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  21–24
35. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge
    
    Письма в ЖТФ, 41:13 (2015),  72–78
36. Использование связанных параметров в рентгенодифракционном анализе многослойных структур с учетом времени роста слоев
    
    ЖТФ, 84:3 (2014),  94–98
37. Количественная калибровка и послойный анализ концентрации германия в гетероструктурах Ge$_x$Si$_{1-x}$/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии
    
    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1138–1146
38. Новый подход к диагностике наноостровков в гетероструктурах Ge$_x$Si$_{1-x}$/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии
    
    Письма в ЖТФ, 40:14 (2014),  36–46
39. Сегрегация сурьмы в напряженных SiGe-гетероструктурах, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1493–1496
40. Переход от двумерного к трехмерному росту пленки Ge при ее осаждении на релаксированные SiGe/Si(001) буферные слои
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  404–409
41. Способ учета параметра сдвига при восстановлении распределения состава полупроводниковых структур по глубине в методе масс-спектрометрии вторичных ионов
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1515–1520
42. Оптический мониторинг технологических параметров в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1505–1509
43. Модификация высоты барьера в диодах Шоттки на кремнии при использовании сильно легированных 3D- и 2D-слоев
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1384–1387
44. Метод селективного легирования кремния сегрегирующими примесями
    
    Письма в ЖТФ, 37:17 (2011),  75–81
45. Исследование перехода эпитаксиальной пленки Ge от послойного к трехмерному росту в гетероструктурах с напряженными подслоями SiGe
    
    Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  538–543
46. Использование кластерных вторичных ионов Ge$_2^-$, Ge$_3^-$ для повышения разрешения по глубине при послойном элементном анализе полупроводниковых гетероструктур GeSi/Si методом ВИМС
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  418–421