Смирнова Ирина Павловна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние промежуточного слоя на процесс формирования и свойства наноструктурированных пленок ITO
   
   Письма в ЖТФ, 51:20 (2025),  50–54
2. Лазерная генерация в дисковых микроструктурах InGaN/GaN/AlGaN на кремнии
   
   Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  41–45
3. Особенности осаждения оксида алюминия на массив нитевидных нанокристаллов ITO
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2099–2101
4. Модификация структуры нанокристаллических пленок оксида индия и олова
   
   Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  297–301
5. Солнечно-слепые фотодиоды Шоттки на основе гетероструктур AlGaN:Si/AlN, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 50:20 (2024),  16–19
6. Формирование рассеивающего свет микрорельефа при атомно-слоевом осаждении диэлектрика на наноструктурированные пленки оксида индия-олова
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2148–2150
7. Влияние кислорода на процесс формирования наноструктурированных пленок оксида индия-олова
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2079–2082
8. Тонкопленочный светодиод на основе слоев AlInGaN, выращенных на гибридных подложках SiC/Si
   
   Письма в ЖТФ, 49:15 (2023),  3–6
9. Влияние состава источника на планарный рост нитевидных наноструктур при каталитическом росте в квазизамкнутом объеме
   
   Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1082–1087
10. Исследование особенностей нанесения нанослоев Al$_2$O$_3$ методом атомно-слоевого осаждения на структурированные пленки ITO
    
    Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  825–830
11. Просветляющие покрытия на основе ZnO, полученные методом электронно-лучевого испарения
    
    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1248–1254
12. Применение метода атомно-слоевого осаждения для получения наноструктурированных покрытий ITO/Al$_{2}$O$_{3}$
    
    Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  365–372
13. Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления
    
    Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  3–6
14. Комбинация плазмохимического и жидкостного травления как способ оптимизации рельефа на поверхности AlGaInN-гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1106–1111
15. Модификация рельефа $n$-поверхности AlGaInN-светодиодов изменением состава газовой смеси при реактивном ионном травлении
    
    Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  564–569
16. Латеральные наноструктуры Ga(In)AsP как часть оптической системы фотопреобразователей на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1714–1717
17. Высоковольтные светодиодные кристаллы AlInGaN
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1562–1567
18. Наноструктурированные покрытия ITO/SiO$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1052–1057
19. Способ создания просветляющих покрытий для пленок ITO
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  181–189
20. Рост наноструктур в системе Ga(In)AsP–GaAs в квазиравновесных условиях
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1244–1249
21. Способ получения пленок ITO с контролируемым значением показателя преломления
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  1001–1006
22. Расчет оптимальной конфигурации двухслойной пленки ITO для использования в составе отражающих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  994–998
23. Влияние содержания алюминия на морфологию поверхности сильнолегированных мезаструктур (Al)GaN, сформированных селективной газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 41:20 (2015),  74–81
24. Применение двухслойных пленок ITO в составе отражающих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1713–1718
25. Мощные светодиодные кристаллы AlGaInN с двухуровневой металлизацией
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1287–1293
26. Оптимизация технологии нанесения тонких пленок ITO, применяемых в качестве прозрачных проводящих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  61–66
27. Сравнение свойств светодиодных кристаллов AlGaInN вертикальной и флип-чип конструкции с использованием кремния в качестве платы-носителя
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  386–391
28. AlGaInN-светодиоды с прозрачным $p$-контактом на основе тонких пленок ITO
    
    Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  384–388
29. Увеличение квантовой эффективности флип-чип AlGaInN-светодиодов путем реактивного ионного травления внешней стороны подложек SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  684–687