Павлюченко Алексей Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние промежуточного слоя на процесс формирования и свойства наноструктурированных пленок ITO
   
   Письма в ЖТФ, 51:20 (2025),  50–54
2. Особенности осаждения оксида алюминия на массив нитевидных нанокристаллов ITO
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2099–2101
3. Модификация структуры нанокристаллических пленок оксида индия и олова
   
   Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  297–301
4. Формирование рассеивающего свет микрорельефа при атомно-слоевом осаждении диэлектрика на наноструктурированные пленки оксида индия-олова
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2148–2150
5. Влияние кислорода на процесс формирования наноструктурированных пленок оксида индия-олова
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2079–2082
6. Тонкопленочный светодиод на основе слоев AlInGaN, выращенных на гибридных подложках SiC/Si
   
   Письма в ЖТФ, 49:15 (2023),  3–6
7. Исследование особенностей нанесения нанослоев Al$_2$O$_3$ методом атомно-слоевого осаждения на структурированные пленки ITO
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  825–830
8. Просветляющие покрытия на основе ZnO, полученные методом электронно-лучевого испарения
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1248–1254
9. Применение метода атомно-слоевого осаждения для получения наноструктурированных покрытий ITO/Al$_{2}$O$_{3}$
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  365–372
10. Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления
    
    Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  3–6
11. Комбинация плазмохимического и жидкостного травления как способ оптимизации рельефа на поверхности AlGaInN-гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1106–1111
12. Модификация рельефа $n$-поверхности AlGaInN-светодиодов изменением состава газовой смеси при реактивном ионном травлении
    
    Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  564–569
13. Высоковольтные светодиодные кристаллы AlInGaN
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1562–1567
14. Наноструктурированные покрытия ITO/SiO$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1052–1057
15. Способ создания просветляющих покрытий для пленок ITO
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  181–189
16. Исследование профиля эффективного показателя преломления в самоорганизующихся наноструктурированных пленках ITO
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1228–1236
17. Способ получения пленок ITO с контролируемым значением показателя преломления
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  1001–1006
18. Расчет оптимальной конфигурации двухслойной пленки ITO для использования в составе отражающих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  994–998
19. Применение двухслойных пленок ITO в составе отражающих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1713–1718
20. Мощные светодиодные кристаллы AlGaInN с двухуровневой металлизацией
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1287–1293
21. Оптимизация технологии нанесения тонких пленок ITO, применяемых в качестве прозрачных проводящих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  61–66
22. Сравнение свойств светодиодных кристаллов AlGaInN вертикальной и флип-чип конструкции с использованием кремния в качестве платы-носителя
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  386–391
23. AlGaInN-светодиоды с прозрачным $p$-контактом на основе тонких пленок ITO
    
    Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  384–388
24. Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN-светодиодов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  425–431
25. Увеличение квантовой эффективности флип-чип AlGaInN-светодиодов путем реактивного ионного травления внешней стороны подложек SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  684–687