Баранов Артем Игоревич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование влияния облучения потоком электронов на фотоэлектрические свойства солнечных элементов на основе наноструктурированного “черного” кремния с пасcивирующим слоем $n$-GaP
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  223–226
2. Исследования структурных и электронных свойств слоев InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения на Si-подложке с подслоем GaP
   
   Письма в ЖТФ, 51:9 (2025),  18–22
3. Использование наноструктурированного черного кремния в поверхностно-усиленной спектроскопии комбинационного рассеяния света
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2152–2154
4. Гибридные солнечные элементы на основе гетероперехода PEDOT:PSS/Si, полученные методом центрифугирования на массиве кремниевых волокон
   
   Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  569–572
5. Исследование температурной зависимости темновых токов pin-фотодиодов на основе эпитаксиальных гетероструктур In$_{0.83}$Ga$_{0.17}$As/InP с метаморфными буферными слоями
   
   Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024),  358–364
6. Свойства гетероструктур AlP/Si, сформированных методом комбинированного плазмохимического и атомно-слоевого осаждения
   
   Письма в ЖТФ, 50:16 (2024),  3–6
7. Исследование влияния облучения потоком электронов на фотоэлектрические и электрофизические свойства кремниевых гетероструктурных солнечных элементов
   
   Письма в ЖТФ, 50:2 (2024),  23–27
8. Разработка технологии плазмохимического осаждения фосфида бора при низкой температуре
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2198–2200
9. Плазмохимическое атомно-слоевое осаждение слоев InP и многослойных наноструктур InP/GaP на кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  406–413
10. Моделирование гетероструктуры PEDOT:PSS/Si для гибких гибридных солнечных элементов
    
    Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  52–55
11. Исследование квантовых ям InP/GaP, полученных методом газофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 49:6 (2023),  16–20
12. Исследование активных областей на основе многопериодных сверхрешеток GaAsN/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  1002–1010
13. Исследование влияния особенностей конструкции установки магнетронного распыления на электрические и оптические свойства пленок оксида индия-олова
    
    Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  360–364
14. Влияние условий формирования пленок In$_{2}$O$_{3}$–SnO$_{2}$ методом магнетронного распыления на время жизни носителей заряда в кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  31–33
15. Исследование диодов Шоттки на основе массива кремниевых волокон, полученных сухим криогенным травлением
    
    Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  47–50
16. Исследование свойств солнечных элементов на основе селективного контакта MoO$_{x}$/Si с помощью спектроскопии полной проводимости
    
    Письма в ЖТФ, 47:16 (2021),  24–27
17. Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения
    
    Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  51–54
18. Формирование селективного контакта BP/Si с помощью низкотемпературного плазмохимического осаждения
    
    Письма в ЖТФ, 47:2 (2021),  49–51
19. Применение селективного контакта MoO$_{x}$/$p$-Si для оценки деградации приповерхностной области кремния
    
    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  37–40
20. Прецизионное химическое травление эпитаксиальных слоев GaP(NAs) для формирования монолитных оптоэлектронных приборов
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1668–1674
21. Исследование солнечных элементов на основе слоев GaPNAs методом спектроскопии полной проводимости
    
    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  534–538
22. Фотоэлектрические свойства солнечных элементов на основе гетероструктур GaPNAs/GaP
    
    Письма в ЖТФ, 39:24 (2013),  88–94