Уваров Александр Вячеславович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптические и фотоэлектрические свойства многослойных структур GaN|InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения
   
   Физика твердого тела, 67:12 (2025),  2390–2393
2. Исследование влияния параметров центрифугирования и состава суспензии PEDOT:PSS на характеристики солнечных элементов $b$-Si/PEDOT:PSS
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  286–290
3. Исследование влияния облучения потоком электронов на фотоэлектрические свойства солнечных элементов на основе наноструктурированного “черного” кремния с пасcивирующим слоем $n$-GaP
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  223–226
4. Исследования структурных и электронных свойств слоев InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения на Si-подложке с подслоем GaP
   
   Письма в ЖТФ, 51:9 (2025),  18–22
5. Использование наноструктурированного черного кремния в поверхностно-усиленной спектроскопии комбинационного рассеяния света
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2152–2154
6. Гибридные солнечные элементы на основе гетероперехода PEDOT:PSS/Si, полученные методом центрифугирования на массиве кремниевых волокон
   
   Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  569–572
7. Свойства гетероструктур AlP/Si, сформированных методом комбинированного плазмохимического и атомно-слоевого осаждения
   
   Письма в ЖТФ, 50:16 (2024),  3–6
8. Разработка технологии плазмохимического осаждения фосфида бора при низкой температуре
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2198–2200
9. Плазмохимическое атомно-слоевое осаждение слоев InP и многослойных наноструктур InP/GaP на кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  406–413
10. Влияние предварительной химической обработки на эффективность пассивации текстурированных кремниевых пластин
    
    Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  62–64
11. Моделирование гетероструктуры PEDOT:PSS/Si для гибких гибридных солнечных элементов
    
    Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  52–55
12. Исследование квантовых ям InP/GaP, полученных методом газофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 49:6 (2023),  16–20
13. Исследование влияния обработки поверхности Si-подложек на морфологию слоев GaP, полученных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения
    
    Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  213–220
14. Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
    
    Оптика и спектроскопия, 129:2 (2021),  218–222
15. Исследование влияния особенностей конструкции установки магнетронного распыления на электрические и оптические свойства пленок оксида индия-олова
    
    Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  360–364
16. Влияние условий формирования пленок In$_{2}$O$_{3}$–SnO$_{2}$ методом магнетронного распыления на время жизни носителей заряда в кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  31–33
17. Исследование диодов Шоттки на основе массива кремниевых волокон, полученных сухим криогенным травлением
    
    Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  47–50
18. Исследование свойств солнечных элементов на основе селективного контакта MoO$_{x}$/Si с помощью спектроскопии полной проводимости
    
    Письма в ЖТФ, 47:16 (2021),  24–27
19. Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения
    
    Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  51–54
20. Формирование селективного контакта BP/Si с помощью низкотемпературного плазмохимического осаждения
    
    Письма в ЖТФ, 47:2 (2021),  49–51
21. Применение селективного контакта MoO$_{x}$/$p$-Si для оценки деградации приповерхностной области кремния
    
    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  37–40
22. Исследование влияния термического отжига на фотоэлектрические свойства гетероструктур GaP/Si, полученных методом атомно-слоевого плазмохимического осаждения
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1095–1102