Вячеславова Екатерина Александровна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование влияния параметров центрифугирования и состава суспензии PEDOT:PSS на характеристики солнечных элементов $b$-Si/PEDOT:PSS
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  286–290
2. Исследование влияния облучения потоком электронов на фотоэлектрические свойства солнечных элементов на основе наноструктурированного “черного” кремния с пасcивирующим слоем $n$-GaP
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  223–226
3. Исследования структурных и электронных свойств слоев InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения на Si-подложке с подслоем GaP
   
   Письма в ЖТФ, 51:9 (2025),  18–22
4. Мультифотонная микроскопия как способ контроля степени очистки структур нитевидных нанокристаллов кремния
   
   Письма в ЖТФ, 51:6 (2025),  12–14
5. Использование наноструктурированного черного кремния в поверхностно-усиленной спектроскопии комбинационного рассеяния света
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2152–2154
6. Гибридные солнечные элементы на основе гетероперехода PEDOT:PSS/Si, полученные методом центрифугирования на массиве кремниевых волокон
   
   Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  569–572
7. Свойства гетероструктур AlP/Si, сформированных методом комбинированного плазмохимического и атомно-слоевого осаждения
   
   Письма в ЖТФ, 50:16 (2024),  3–6
8. Разработка технологии плазмохимического осаждения фосфида бора при низкой температуре
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2198–2200
9. Исследование возможности повышения годовой выработки электроэнергии за счет использования кремниевых солнечных элементов с наноструктурированной поверхностью
   
   Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  522–525
10. Плазмохимическое атомно-слоевое осаждение слоев InP и многослойных наноструктур InP/GaP на кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  406–413
11. Влияние предварительной химической обработки на эффективность пассивации текстурированных кремниевых пластин
    
    Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  62–64
12. Моделирование гетероструктуры PEDOT:PSS/Si для гибких гибридных солнечных элементов
    
    Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  52–55
13. Исследование квантовых ям InP/GaP, полученных методом газофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 49:6 (2023),  16–20
14. Исследование влияния особенностей конструкции установки магнетронного распыления на электрические и оптические свойства пленок оксида индия-олова
    
    Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  360–364
15. Исследование диодов Шоттки на основе массива кремниевых волокон, полученных сухим криогенным травлением
    
    Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  47–50
16. Исследование свойств солнечных элементов на основе селективного контакта MoO$_{x}$/Si с помощью спектроскопии полной проводимости
    
    Письма в ЖТФ, 47:16 (2021),  24–27
17. Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения
    
    Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  51–54