Родин Сергей Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Управление упругими напряжениями при росте гетероструктур (Al)GaN/SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025),  315–318
2. Исследование влияния наноструктурированных AlN/Si(100)-темплейтов на рост полуполярных слоев AlN$(10\bar11)$
   
   Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  3–7
3. Газофазная эпитаксия слоев AlN на наноструктурированном темплейте AlN/Si(100), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления
   
   ЖТФ, 94:6 (2024),  944–947
4. Морфология поверхности AlN-слоев, выращенных на наноструктурированном темплейте SiN$_x$/Si(100)
   
   Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  3–6
5. Об успешном опыте гомоэпитаксии слоев $\beta$-Ga$_2$O$_3$ на собственных подложках
   
   Письма в ЖТФ, 50:7 (2024),  43–46
6. Начальные стадии роста слоя $\mathrm{GaN}(11\bar22)$ на наноструктурированной подложке $\mathrm{Si}(113)$
   
   Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  3–6
7. Enhancement of the basal-plane stacking fault emission in GaN planar nanowire microcavity
   
   Письма в ЖЭТФ, 115:10 (2022),  611–612
8. Морфология поверхности полуполярных GaN-слоев при эпитаксии на наноструктурированной подложке Si
   
   ЖТФ, 92:5 (2022),  720–723
9. Изучение процесса газофазного осаждения Ga$_2$O$_3$ из триметилгаллия и кислорода в широком интервале температур
   
   Письма в ЖТФ, 48:4 (2022),  44–47
10. Начальные стадии роста полуполярного AlN на наноструктурированной Si(100) подложке
    
    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  908–911
11. Образование полуполярных III-нитридных слоев на поверхности Si(100), структурированной с помощью самоформирующейся наномаски
    
    Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  356–359
12. Calculation of the Ga+ FIB ion dose distribution by SEM image
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1390
13. Сильная связь экситонов в микрорезонаторах GaN гексагональной формы
    
    Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  85–88
14. Газофазная эпитаксия слоев AlN на темплейте AlN/Si(111), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления
    
    Письма в ЖТФ, 46:8 (2020),  29–31
15. GaN selective epitaxy in sub-micron windows with different depths formed by ion beam nanolithography
    
    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2333
16. Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  1006–1009
17. Эпитаксия слоев GaN(0001) или GaN(10$\bar1$1) на подложке Si(100)
    
    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  3–5
18. Селективный эпитаксиальный рост III–N-структур с использованием ионной нанолитографии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1237–1243
19. Концентрические гексагональные структуры GaN для нанофотоники, изготовленные селективной газофазной эпитаксией с использованием ионного травления
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  816–818
20. Полуполярные GaN-слои на наноструктурированной Si(100)-подложке
    
    Письма в ЖТФ, 44:12 (2018),  45–51
21. Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  101–104
22. Эффект воздействия $n$- и $p$-типа проводимости подложки Si(100) с буферным слоем SiC на механизм роста и структуру эпитаксиальных слоев полуполярных AlN и GaN
    
    Физика твердого тела, 57:10 (2015),  1916–1921
23. Влияние поверхностно-активных веществ на эпитаксиальный рост нитрида галлия, выращенного из газовой фазы в системе Ga–HCl–NH$_3$–H$_2$–Ar
    
    Письма в ЖТФ, 41:10 (2015),  29–34
24. Эпитаксия полуполярного GaN на подложке Si(001) с буферным слоем SiC
    
    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  48–54
25. Рост слоев нитрида галлия методом хлоридной газофазной эпитаксии при пониженной температуре источника
    
    Письма в ЖТФ, 36:9 (2010),  11–16