Коненкова Елена Васильевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Полуполярный нитрид алюминия: эпитаксия объемного материала на наноструктурированной кремниевой подложке
   
   Письма в ЖТФ, 52:4 (2026),  25–28
2. Исследование влияния наноструктурированных AlN/Si(100)-темплейтов на рост полуполярных слоев AlN$(10\bar11)$
   
   Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  3–7
3. Эпитаксия AlN$(11\bar{2}2)$-слоев на GaN$(11\bar{2}2)$/$m$-Al$_2$О$_3$-темплейте методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 51:16 (2025),  42–44
4. Газофазная эпитаксия слоев AlN на наноструктурированном темплейте AlN/Si(100), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления
   
   ЖТФ, 94:6 (2024),  944–947
5. HVPE эпитаксия полуполярных AlN(10$\bar{1}$1) слоев на темплейте AlN/Si(100)
   
   Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  474–477
6. Морфология поверхности AlN-слоев, выращенных на наноструктурированном темплейте SiN$_x$/Si(100)
   
   Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  3–6
7. Полуполярные широкозонные III–N-слои на кремниевой подложке: эпитаксия с контролем свойств структур (обзор)
   
   ЖТФ, 93:9 (2023),  1235–1262
8. Начальные стадии роста слоя $\mathrm{GaN}(11\bar22)$ на наноструктурированной подложке $\mathrm{Si}(113)$
   
   Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  3–6
9. Морфология поверхности полуполярных GaN-слоев при эпитаксии на наноструктурированной подложке Si
   
   ЖТФ, 92:5 (2022),  720–723
10. Анизотропные напряжения в слоях $\mathrm{GaN}(11\bar20)$ на подложке $r$-$\mathrm{Al}_2\mathrm{O}_3$ при хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  266–270
11. Начальные стадии роста полуполярного AlN на наноструктурированной Si(100) подложке
    
    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  908–911
12. Образование полуполярных III-нитридных слоев на поверхности Si(100), структурированной с помощью самоформирующейся наномаски
    
    Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  356–359
13. Пластическая релаксация напряженного полуполярного AlN(10$\bar1$1) слоя, синтезированного на наноструктурированной Si(100) подложке
    
    ЖТФ, 90:12 (2020),  2123–2126
14. Газофазная эпитаксия слоев AlN на темплейте AlN/Si(111), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления
    
    Письма в ЖТФ, 46:8 (2020),  29–31
15. Хлорид-гидридная газофазная эпитаксия полуполярного слоя AlN(10$\bar{1}$2) на наноструктурированной подложке Si(100)
    
    Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  12–14
16. Синтез гексагональных слоев AlN и GaN на Si(100)-подложке методом хлоридной газофазной эпитаксии
    
    ЖТФ, 89:4 (2019),  574–577
17. Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  1006–1009
18. Эпитаксия слоев GaN(0001) или GaN(10$\bar1$1) на подложке Si(100)
    
    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  3–5
19. Полуполярные GaN-слои на наноструктурированной Si(100)-подложке
    
    Письма в ЖТФ, 44:12 (2018),  45–51
20. Гексагональные слои AlN, выращенные на сульфидированной Si(100)-подложке
    
    Письма в ЖТФ, 44:2 (2018),  96–103
21. Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 59:4 (2017),  660–667
22. Эффект воздействия $n$- и $p$-типа проводимости подложки Si(100) с буферным слоем SiC на механизм роста и структуру эпитаксиальных слоев полуполярных AlN и GaN
    
    Физика твердого тела, 57:10 (2015),  1916–1921
23. Эпитаксия полуполярного GaN на подложке Si(001) с буферным слоем SiC
    
    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  48–54
24. Эпитаксия GaN в полуполярном направлении на подложке Si(210)
    
    Письма в ЖТФ, 39:6 (2013),  1–8
25. Эпитаксия нитрида галлия в полуполярном направлении на кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 38:1 (2012),  21–26
26. Нитрид алюминия на кремнии: роль промежуточного SiC слоя и технологии хлоридной газофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 36:11 (2010),  17–23