Сидоров Георгий Юрьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Низкотемпературные обработки поверхности CdHgTe методом PE-ALD перед осаждением HfO$_2$
   
   Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  120–125
2. Пассивация поверхности CdHgTe с использованием низкотемпературного плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения HfO$_2$
   
   Письма в ЖТФ, 50:16 (2024),  7–10
3. Вода – источник электрически активных центров в CdHgTe
   
   Физика и техника полупроводников, 57:2 (2023),  114–119
4. Фоточувствительность полевого транзистора металл-диэлектрик-полупроводник на основе пленки PbSnTe:In с составом вблизи инверсии зон
   
   Письма в ЖТФ, 49:3 (2023),  22–25
5. Анализ вольт-фарадных характеристик МДП-структур с ALD Al$_2$O$_3$ на $n$- и $p$-CdHgTe, стабилизированном сверхтонким собственным оксидом
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  915–921
6. МДП транзистор на основе пленки PbSnTe : In с подзатворным диэлектриком Al$_2$O$_3$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  243–249
7. Исследование структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе CdHgTe и HfO$_2$
   
   Письма в ЖТФ, 48:19 (2022),  16–19
8. Образование акцепторных центров в CdHgTe под воздействием воды и термообработок
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  331–335
9. Aдмиттанс МДП-структур на основе $nBn$-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3–5 $\mu$m
   
   Письма в ЖТФ, 47:12 (2021),  34–37
10. Влияние имплантации ионов As$^{+}$ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок $n$-Hg$_{0.78}$Cd$_{0.22}$Te
    
    Письма в ЖТФ, 47:4 (2021),  33–35
11. Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1122–1128
12. Влияние ростовой температуры на пассивирующие свойства пленок Al$_{2}$O$_{3}$, выращенных методом атомно-слоевого осаждения на поверхности CdHgTe
    
    Письма в ЖТФ, 46:15 (2020),  14–17
13. Исследование плотности интерфейсных состояний на границах раздела диэлектрик/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As
    
    Письма в ЖТФ, 46:10 (2020),  10–13
14. Динамика поверхностной проводимости в пленках PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1207–1211
15. Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1652–1656
16. Влияние гидрогенизации на электрофизические свойства эпитаксиальных структур Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  408–413
17. Стимулированное излучение на длине волны 2.5 мкм, при комнатной температуре, из оптически возбужденных структур на основе Cd$_x$ Hg$_{1-x}$Te
    
    Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  476–481
18. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев CdHgTe, выращенных на подложках Si
    
    Письма в ЖТФ, 36:23 (2010),  39–46