Михайлова Майя Павловна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Поглощение микроволнового излучения и осцилляции магнитосопротивления в композитных квантовых ямах InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром в квантующем магнитном поле (Обзор)
   
   Физика твердого тела, 66:3 (2024),  323–333
2. Монополярное умножение горячих носителей заряда в полупроводниках A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ в сильном электрическом поле и бесшумные лавинные фотодиоды (Обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  995–1010
3. Магнитофононные осцилляции магнитосопротивления в квантовой яме InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  313–318
4. Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (Обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1267–1288
5. Открытие полупроводников A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$: физические свойства и применение (Обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  291–308
6. Электролюминесценция в гетероструктурах $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой, выращенных методом МОГФЭ
   
   Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  50–54
7. Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой
   
   Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  906–911
8. Вертикальный транспорт в гетеропереходах II типа с композитными квантовыми ямами InAs/GaSb/AlSb в сильном магнитном поле
   
   Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1393–1399
9. Влияние эффекта электростатического экранирования на фотоэлектрические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1196–1201
10. Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2–300 K
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  247–252
11. Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами
    
    Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  794–800
12. Высокотемпературная люминесценция в светодиодной гетероструктуре $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb с высоким потенциальным барьером
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1270–1275
13. Фотоэлектрические и люминесцентные свойства наногетероструктур на основе GaSb с глубокой квантовой ямой Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1037–1042
14. Суперлинейная электролюминесценция в гетероструктурах на основе GaSb с высокими потенциальными барьерами
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  75–82
15. Фотовольтаический детектор на основе гетероструктуры II типа с глубокой квантовой ямой AlSb/InAsSb/AlSb в активной области для среднего инфракрасного диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  251–255
16. Электролюминесценция в гетероструктурах II типа $p$-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/$p(n)$-GaSb с глубокими квантовыми ямами на гетерогранице
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  69–74
17. Быстродействующие $p$–$i$–$n$-фотодиоды для спектрального диапазона 0.9–2.4 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 36:9 (2010),  43–49


18. Enhancement of photoconductivity by carrier screening effect in $n$-GaSb/$n$-InAs/$p$-GaSb heterostructure with single deep quantum well
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  476