Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Диполярные биэкситоны в латеральных ловушках в гетероструктурах Si/SiGe/Si
Физика твердого тела, 65:8 (2023), 1281–1287
-
Тонкая структура перехода $^3$T$_1$($^3$H) $\to$ $^5$E($^5$D) иона Fe$^{2+}$ в селениде цинка
Письма в ЖЭТФ, 117:5 (2023), 350–355
-
Внутрицентровые излучательные переходы на примесных центрах железа в селениде цинка
Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 304–307
-
Внутрицентровые излучательные переходы на примесных центрах тантала в теллуриде кадмия
Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1579–1583
-
Излучательные $d$–$d$-переходы на центрах вольфрама в полупроводниках А$^{\mathrm{II}}$В$^{\mathrm{VI}}$
Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 335–338
-
Ионная имплантация Er в поликристаллический теллурид кадмия
Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 644–647
-
Фотоиндуцированное образование центров поверхностной рекомбинации в арсениде галлия
Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992), 525–529
© , 2026